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- 酸化ガリウムエピタキシャル結晶のSEM像
- 装置・プロセス：
-
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
- ファイル数：
- 5
- ファイルサイズ：
- 4.04MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5241
- 課題名：
- 新奇ワイドギャップ半導体の研究開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
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- 3
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- Research on Thermal management of GaN devices using EB Evaporator [ADS-E86]_23NM5184
- 装置・プロセス：
-
NM-609：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
- ファイル数：
- 24
- ファイルサイズ：
- 354KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5184
- 課題名：
- Thermal management of GaN devices
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
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- ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]による量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-615：ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
- ファイル数：
- 33
- ファイルサイズ：
- 546.34KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5159
- 課題名：
- 量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
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- 水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]によるダイヤモンドデバイスの研究_23NM5214
- 装置・プロセス：
-
NM-605：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
- ファイル数：
- 11
- ファイルサイズ：
- 127.3KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5214
- 課題名：
- ダイヤモンドデバイスの研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]による量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-661：電子ビーム描画装置 [JBX-8100FS]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 61.33KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5159
- 課題名：
- 量子デバイス応用を目指した薄膜評価とナノ構造作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 6
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- スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]による半導体ナノ構造の形成制御と機能化（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
- ファイル数：
- 46
- ファイルサイズ：
- 786.39KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5171
- 課題名：
- 半導体ナノ構造の形成制御と機能化
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
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- 3
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- 原子層堆積装置 [SUNALE R-150]によるGaN絶縁膜の研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
- ファイル数：
- 6
- ファイルサイズ：
- 94.36KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5091
- 課題名：
- GaN絶縁膜の研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- FE-SEM+EDX [SU8230]による半導体ナノ構造の形成制御と機能化_EDX（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
- ファイル数：
- 14
- ファイルサイズ：
- 2.47MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5171
- 課題名：
- 半導体ナノ構造の形成制御と機能化
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]によるGaN半導体の低抵抗オーム性電極の作製
- 装置・プロセス：
-
NM-609：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 44.33KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5067
- 課題名：
- n型、p型GaN半導体トランジスタにおける低接触抵抗オーム性電極の作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
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- 3
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- TiN薄膜のマスクレス露光（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-660：マスクレス露光装置 [MLA150]
- ファイル数：
- 18
- ファイルサイズ：
- 367.49KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0020
- 課題名：
- 超伝導量子計算素子の作製プロセス
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
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- 原子層堆積装置 [AD-230LP]による電子・レーザービーム描画を用いた微細デバイス加工技術開発（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-611：原子層堆積装置 [AD-230LP]
- ファイル数：
- 6
- ファイルサイズ：
- 94.51KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0006
- 課題名：
- 電子・レーザービーム描画を用いた微細デバイス加工技術開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
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- 電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]によるフォトニック結晶メンブレンによるナノレーザーの開発(2023年度)
- 装置・プロセス：
-
NM-609：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
- ファイル数：
- 10
- ファイルサイズ：
- 130.08KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5440
- 課題名：
- フォトニック結晶メンブレンによるナノレーザーの開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
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- マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]によるエッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
- 装置・プロセス：
-
NM-604：マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
- ファイル数：
- 2
- ファイルサイズ：
- 34.94KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0059
- 課題名：
- エッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 原子層堆積装置 [SUNALE R-150]による金属/絶縁膜界面の研究
- 装置・プロセス：
-
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
- ファイル数：
- 61
- ファイルサイズ：
- 900.44KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5088
- 課題名：
- 金属/絶縁膜界面の研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
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- 3
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Level4：Restricted
Level5：Confidential
- ICP-RIE装置 [CE300I]による絶縁膜形成技術の研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-645：ICP-RIE装置 [CE300I]
- ファイル数：
- 21
- ファイルサイズ：
- 288.7KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5089
- 課題名：
- 絶縁膜形成技術の研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 原子層堆積装置 [SUNALE R-150]による絶縁膜形成技術の研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-644：原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
- ファイル数：
- 9
- ファイルサイズ：
- 155.69KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5089
- 課題名：
- 絶縁膜形成技術の研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
- ダウンロード数：
- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]による絶縁膜形成技術の研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
- ファイル数：
- 127
- ファイルサイズ：
- 1.84MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5089
- 課題名：
- 絶縁膜形成技術の研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 0
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Level1：Open
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Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]による高効率紫外LEDの研究開発
- 装置・プロセス：
-
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
- ファイル数：
- 2
- ファイルサイズ：
- 22.29KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0066
- 課題名：
- 高効率紫外LEDの研究開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 4
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- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]による半導体量子構造を用いた電流注入型光源デバイス作製
- 装置・プロセス：
-
NM-638：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 41.94KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0164
- 課題名：
- 半導体量子構造を用いた電流注入型光源デバイス作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 1
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- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
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Level4：Restricted
Level5：Confidential
- FE-SEM+EDX [SU8230]による燃料電池酸化物触媒の分析_SEM（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-649：FE-SEM+EDX [SU8230]
- ファイル数：
- 503
- ファイルサイズ：
- 107MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5052
- 課題名：
- 燃料電池酸化物触媒の分析
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential