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- 電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]による磁気機能デバイスの開発（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-635：電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 61.58KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5316
- 課題名：
- 磁気機能デバイスの開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
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- スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]によるワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 装置・プロセス：
-
NM-641：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]
- ファイル数：
- 9
- ファイルサイズ：
- 145.64KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5073
- 課題名：
- ワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 1
- ダウンロード数：
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- 電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]によるメタ表面の開発（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-635：電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
- ファイル数：
- 102
- ファイルサイズ：
- 1.99MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0016
- 課題名：
- メタ表面の開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]による半導体ナノ構造の形成制御と機能化（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
- ファイル数：
- 34
- ファイルサイズ：
- 450.94KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5171
- 課題名：
- 半導体ナノ構造の形成制御と機能化
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
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- 水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]による窒化チタンナノリングの作製
- 装置・プロセス：
-
NM-605：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 42.39KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0043
- 課題名：
- 窒化チタンナノリングの作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- CCP-RIE装置 [RIE-200NL]によるエッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
- 装置・プロセス：
-
NM-614：CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
- ファイル数：
- 6
- ファイルサイズ：
- 75.54KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0059
- 課題名：
- エッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
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- 水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]による新規高誘電薄膜材料の開発（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-638：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
- ファイル数：
- 68
- ファイルサイズ：
- 946.88KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5168
- 課題名：
- 新規高誘電薄膜材料の開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
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- マスクレス露光装置 [DL-1000]によるイオニクス型人工知能デバイスの研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-636：マスクレス露光装置 [DL-1000]
- ファイル数：
- 64
- ファイルサイズ：
- 1.08MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5072
- 課題名：
- イオニクス型人工知能デバイスの研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]によるプリンテッドエレクトロニクスの研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-638：水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
- ファイル数：
- 220
- ファイルサイズ：
- 2.74MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5377
- 課題名：
- プリンテッドエレクトロニクスの研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]による半導体量子構造を用いた電流注入型光源デバイス作製
- 装置・プロセス：
-
NM-604：マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
- ファイル数：
- 21
- ファイルサイズ：
- 69.32MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0164
- 課題名：
- 半導体量子構造を用いた電流注入型光源デバイス作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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Level1：Open
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- スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]によるシリコンウエハ上へのスパッタ形成
- 装置・プロセス：
-
NM-607：スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
- ファイル数：
- 6
- ファイルサイズ：
- 97.02KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0173
- 課題名：
- シリコンウエハ上へのスパッタ形成
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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Level5：Confidential
- 卓上電子顕微鏡 [TM3000]による熱電材料の基礎開発（1）_SEM
- 装置・プロセス：
-
NM-650：卓上電子顕微鏡 [TM3000]
- ファイル数：
- 152
- ファイルサイズ：
- 80.18MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5150
- 課題名：
- 熱電材料の基礎開発（1）
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 0
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Level4：Restricted
Level5：Confidential
- ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]による窒化チタンナノリングの作製
- 装置・プロセス：
-
NM-615：ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 48.69KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0043
- 課題名：
- 窒化チタンナノリングの作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
- ダウンロード数：
- 0
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Level1：Open
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Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]による二次元ヘテロ構造デバイスの研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-635：電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 63.98KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5186
- 課題名：
- 二次元ヘテロ構造デバイスの研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
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- 0
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Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 電子銃型蒸着装置 [UEP-3000BS]によるNi異方性エッチングを用いたダイヤモンド基板の微細加工及びAu蒸着による微細回路の作製
- 装置・プロセス：
-
NM-643：電子銃型蒸着装置 [UEP-3000BS]
- ファイル数：
- 104
- ファイルサイズ：
- 8.09MB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0038
- 課題名：
- Ni異方性エッチングを用いたダイヤモンド基盤の微細加工及びAu蒸着による微細回路の作製
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 2
- ダウンロード数：
- 0
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Level4：Restricted
Level5：Confidential
- Research on Data-driven inorganic nanostructure design for thermal management and ionic conductors using ALD [AD-230LP]
- 装置・プロセス：
-
NM-611：原子層堆積装置 [AD-230LP]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 47.06KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5012
- 課題名：
- Data-driven inorganic nanostructure design for thermal management and ionic conductors
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
- ダウンロード数：
- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]によるワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 装置・プロセス：
-
NM-633：SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
- ファイル数：
- 15
- ファイルサイズ：
- 200.89KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5073
- 課題名：
- ワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 3
- ダウンロード数：
- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- ICP-RIE装置 [CE300I]によるイオニクス型人工知能デバイスの研究（2023年度）
- 装置・プロセス：
-
NM-645：ICP-RIE装置 [CE300I]
- ファイル数：
- 33
- ファイルサイズ：
- 508.85KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5072
- 課題名：
- イオニクス型人工知能デバイスの研究
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
- ダウンロード数：
- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- 電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]による分子センシング用二硫化モリブデンデバイスの開発
- 装置・プロセス：
-
NM-610：電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
- ファイル数：
- 3
- ファイルサイズ：
- 44.36KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0035
- 課題名：
- 分子センシング用二硫化モリブデンデバイスの開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 5
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- 0
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential
- マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]によるワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 装置・プロセス：
-
NM-604：マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
- ファイル数：
- 9
- ファイルサイズ：
- 178.53KB
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5073
- 課題名：
- ワイドバンドギャップ半導体の微細構造形成・デバイス応用
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.6.4
- ページビュー：
- 7
- ダウンロード数：
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Level1：Open
Level2：Sample
Level3：License
Level4：Restricted
Level5：Confidential