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マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]によるGaN半導体の低抵抗オーム性電極の作製
装置・プロセス:
NM-604:マスクレス露光装置 [DL-1000/NC2P]
ファイル数:
6
ファイルサイズ:
89.34KB
課題番号:
JPMXP1223NM5067
課題名:
n型、p型GaN半導体トランジスタにおける低接触抵抗オーム性電極の作製
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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3
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ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]による可視光位相変調のためのSiNメタ原子形成(2023年度)
装置・プロセス:
NM-615:ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
ファイル数:
46
ファイルサイズ:
748.44KB
課題番号:
JPMXP1223NM0026
課題名:
可視光位相変調のためのSiNメタ原子形成
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
6
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卓上電子顕微鏡 [TM3000]によるアンモニア分解用触媒の探索_SEM(2023年度)
装置・プロセス:
NM-650:卓上電子顕微鏡 [TM3000]
ファイル数:
25
ファイルサイズ:
4.33MB
課題番号:
JPMXP1223NM5382
課題名:
アンモニア分解用触媒の探索
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
3
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thumbnail_6dd46651-d483-4d23-a38d-bb75ad0b7807
水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]による電子・レーザービーム描画を用いた微細デバイス加工技術開発(2023年度)
装置・プロセス:
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
ファイル数:
6
ファイルサイズ:
63.97KB
課題番号:
JPMXP1223NM0006
課題名:
電子・レーザービーム描画を用いた微細デバイス加工技術開発
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
9
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FE-SEM+EDX [S-4800]による嗅覚センサの研究開発_SEM
装置・プロセス:
NM-647:FE-SEM+EDX [S-4800]
ファイル数:
8
ファイルサイズ:
15.43MB
課題番号:
JPMXP1223NM5357
課題名:
嗅覚センサの研究開発
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
5
ダウンロード数:
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thumbnail_6caa736b-56a4-404d-8926-b2542c6d39d4
水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]による磁気機能デバイスの開発(2023年度)
装置・プロセス:
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
ファイル数:
3
ファイルサイズ:
41.98KB
課題番号:
JPMXP1223NM5316
課題名:
磁気機能デバイスの開発
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
3
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水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]による人工ナノ構造を用いた光制御の研究(2023年度)
装置・プロセス:
ファイル数:
8
ファイルサイズ:
102.5KB
課題番号:
JPMXP1223NM0076
課題名:
人工ナノ構造を用いた光制御の研究
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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6
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電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]を用いたナノ薄膜の電子線描画パターニングによるプラズモンナノ共振器の作製(2023年度)
装置・プロセス:
NM-610:電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]
ファイル数:
59
ファイルサイズ:
795.01KB
課題番号:
JPMXP1223NM5062
課題名:
ナノ薄膜の電子線描画パターニングによるプラズモンナノ共振器の作製
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
7
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水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]によるCVD法で合成した遷移金属ダイカルコゲナイドの特性評価
装置・プロセス:
NM-638:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]
ファイル数:
18
ファイルサイズ:
192.75KB
課題番号:
JPMXP1223NM5158
課題名:
CVD法で合成した遷移金属ダイカルコゲナイドの特性評価
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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3
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電子ビーム描画装置 [ELS-F125]による二次元材料を用いたアンチアンバイポーラトランジスタの作製と論理演算素子への応用(2023年度)
装置・プロセス:
NM-601:電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
ファイル数:
12
ファイルサイズ:
245.55KB
課題番号:
JPMXP1223NM5255
課題名:
二次元材料を用いたアンチアンバイポーラトランジスタの作製と論理演算素子への応用
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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1
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電子ビーム描画装置 [ELS-F125]を用いたナノ薄膜の電子線描画パターニングによるプラズモンナノ共振器の作製(2023年度)
装置・プロセス:
NM-601:電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
ファイル数:
87
ファイルサイズ:
1.48MB
課題番号:
JPMXP1223NM5062
課題名:
ナノ薄膜の電子線描画パターニングによるプラズモンナノ共振器の作製
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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5
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電子銃型蒸着装置 [MB-501010]によるCVD法で合成した遷移金属ダイカルコゲナイドの特性評価
装置・プロセス:
NM-642:電子銃型蒸着装置 [MB-501010]
ファイル数:
2
ファイルサイズ:
22.39KB
課題番号:
JPMXP1223NM5158
課題名:
CVD法で合成した遷移金属ダイカルコゲナイドの特性評価
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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3
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FE-SEM+EDX [SU8000]による熱電材料の開発(1)_SEM
装置・プロセス:
NM-648:FE-SEM+EDX [SU8000]
ファイル数:
697
ファイルサイズ:
263.27MB
課題番号:
JPMXP1223NM5114
課題名:
熱電材料の開発(1)
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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3
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Research on Haptic Human-Machine Interface Based on Liquid-Mediated Self-Assembly using RTA [RTP-6 #1]
装置・プロセス:
NM-646:赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
ファイル数:
27
ファイルサイズ:
378.49KB
課題番号:
JPMXP1223NM5351
課題名:
Haptic Human-Machine Interface Based on Liquid-Mediated Self-Assembly
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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4
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CCP-RIE装置 [RIE-200NL]によるIII-V族化合物半導体パルス幅可変レーザーの開発(2023年度)
装置・プロセス:
NM-614:CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
ファイル数:
12
ファイルサイズ:
191.75KB
課題番号:
JPMXP1223NM0062
課題名:
III-V族化合物半導体パルス幅可変レーザーの開発
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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2
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Research on Thermal management of GaN devices using EB Lithography [ELS-F125]_23NM5184
装置・プロセス:
NM-601:電子ビーム描画装置 [ELS-F125]
ファイル数:
5
ファイルサイズ:
93.29KB
課題番号:
JPMXP1223NM5184
課題名:
Thermal management of GaN devices
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
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3
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Research on Thermal management of GaN devices using ALE [PlasmaPro 100 ALE]_23NM5184
装置・プロセス:
NM-618:原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]
ファイル数:
33
ファイルサイズ:
532.49KB
課題番号:
JPMXP1223NM5184
課題名:
Thermal management of GaN devices
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
1
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水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]によるエッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
装置・プロセス:
NM-605:水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #1]
ファイル数:
12
ファイルサイズ:
129.13KB
課題番号:
JPMXP1223NM0059
課題名:
エッジAIの省エネルギー性を向上させるナノエレクトロニクス新材料とそのデバイスプロセス開発
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
1
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レーザー描画装置 [DWL66+]による電子ビームリソグラフィー装置を用いたGaN系材料の微細加工評価
装置・プロセス:
NM-603:レーザー描画装置 [DWL66+]
ファイル数:
9
ファイルサイズ:
207.3KB
課題番号:
JPMXP1223NM5066
課題名:
電子ビームリソグラフィー装置を用いたGaN系材料の微細加工評価
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
5
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電子銃型蒸着装置 [MB-501010]による絶縁膜形成技術の研究(2023年度)
装置・プロセス:
NM-642:電子銃型蒸着装置 [MB-501010]
ファイル数:
9
ファイルサイズ:
132.71KB
課題番号:
JPMXP1223NM5089
課題名:
絶縁膜形成技術の研究
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2026.6.4
ページビュー:
1
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