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- フォトマスクの製作（４端子測定用電極パターン）_ Process flow
- 装置・プロセス：
-
プロセスフロー
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 180.23KB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0031
- 課題名：
- マスクの作成及び電極パタニング
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 15
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- スチール缶再加工の高品質化のための天板切断面観察（全周測定）
- 装置・プロセス：
-
TT-032：三次元形状測定機
- ファイル数：
- 5
- ファイルサイズ：
- 1.7MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0034
- 課題名：
- スチール缶再加工の高品質化のための天板切断面観察
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 16
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- 花粉細胞の個別かつ配列用MEMSノズル_DRIE
- 装置・プロセス：
-
TT-011：Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス）
- ファイル数：
- 9
- ファイルサイズ：
- 858.49KB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0003
- 課題名：
- 微細加工技術による立体サンプル形成および高度デバイス化
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 19
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- 水溶性ポリマーと接したフォトレジストのパターニング特性_Lithography
- 装置・プロセス：
-
TT-006：マスクアライナ装置
TT-008：洗浄ドラフト一式
TT-015：デジタルマイクロスコープ群
- ファイル数：
- 19
- ファイルサイズ：
- 5.36MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT9002
- 課題名：
- フォトレジスト材の検討
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 14
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- 花粉細胞の個別かつ配列用MEMSノズル_Lithography
- 装置・プロセス：
-
TT-006：マスクアライナ装置
- ファイル数：
- 10
- ファイルサイズ：
- 1.18MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0003
- 課題名：
- 微細加工技術による立体サンプル形成および高度デバイス化
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 11
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- 花粉細胞の個別かつ配列用MEMSノズル_Process flow
- 装置・プロセス：
-
プロセスフロー
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 280.87KB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0003
- 課題名：
- 微細加工技術による立体サンプル形成および高度デバイス化
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
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- MEMS粘度測定デバイスの開発_DRIE
- 装置・プロセス：
-
TT-011：Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス）
- ファイル数：
- 5
- ファイルサイズ：
- 1.35MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0033
- 課題名：
- MEMS応用の粘度測定デバイスの開発
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 12
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ヘリウムのSTEM-EELS分析- 装置・プロセス：
-
NM-502：実動環境対応電子線ホログラフィー電子顕微鏡
NM-509：デュアルビーム加工観察装置
- ファイル数：
- 24
- ファイルサイズ：
- 5.56MB
- 課題番号：
- JPMXP1226NM2102
- 課題名：
- ナノ構造評価技術開発
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 119
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- MEMS粘度測定デバイスの開発_Lithography
- 装置・プロセス：
-
TT-006：マスクアライナ装置
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 1.14MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0033
- 課題名：
- MEMS応用の粘度測定デバイスの開発
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
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- MEMS粘度測定デバイスの開発_Process flow
- 装置・プロセス：
-
プロセスフロー
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 1.13MB
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0033
- 課題名：
- MEMS応用の粘度測定デバイスの開発
- 実施機関：
- 豊田工業大学
- 登録日：
- 2026.4.27
- ページビュー：
- 18
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:PR500)
- 装置・プロセス：
-
WS-006：プラズマアッシャー
- ファイル数：
- 44
- ファイルサイズ：
- 241.88KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 42
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:MLA150)
- 装置・プロセス：
-
WS-016：レーザー直接描画装置
- ファイル数：
- 60
- ファイルサイズ：
- 465.35KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 31
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:MA6)
- 装置・プロセス：
-
WS-014：紫外線露光装置
- ファイル数：
- 44
- ファイルサイズ：
- 343.09KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 30
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:RIE-101iPH)
- 装置・プロセス：
-
WS-007：ICP-RIE装置
- ファイル数：
- 12
- ファイルサイズ：
- 81.34KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 31
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:S-4800)
- 装置・プロセス：
-
WS-011：電界放出型 走査電子顕微鏡
- ファイル数：
- 147
- ファイルサイズ：
- 10.22MB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 32
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:PD-220)
- 装置・プロセス：
-
WS-030：プラズマCVD装置
- ファイル数：
- 8
- ファイルサイズ：
- 48.01KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 35
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:IBS)
- 装置・プロセス：
-
WS-001：イオンビームスパッタ装置
- ファイル数：
- 48
- ファイルサイズ：
- 317.73KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 27
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:EVC-1501)
- 装置・プロセス：
-
WS-002：電子ビーム蒸着装置
- ファイル数：
- 8
- ファイルサイズ：
- 47.31KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 28
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- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:R-150)
- 装置・プロセス：
-
WS-004：原子層堆積装置
- ファイル数：
- 16
- ファイルサイズ：
- 110.89KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 課題名：
- 高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 42
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- ワイドバンドギャップ半導体用高性能・高信頼ゲート絶縁膜の開発(2023年度:iHR320)
- 装置・プロセス：
-
WS-026：高性能分光エリプソメータ
- ファイル数：
- 40
- ファイルサイズ：
- 421.48KB
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0065
- 課題名：
- ワイドバンドギャップ半導体用高性能・高信頼ゲート絶縁膜の開発
- 実施機関：
- 早稲田大学
- 登録日：
- 2026.4.23
- ページビュー：
- 37
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