課題番号：

JPMXP1223WS0001

実施機関：

早稲田大学

要約

ダイヤモンド中のNVセンターは量子計測や量子計算に優れた特性を有するが、形成過程における熱拡散の影響などの追跡は困難であった。本研究は、孤立した円形パターンを用いて、NVセンターの個数制御と熱拡散の影響を実験的に調査することを目的とした。実験では、電子線描画装置を用いて、PMMAレジストを塗布した単結晶ダイヤモンド基板上に規則配列した円形パターンを形成した。描画条件として加速電圧50eVを用い、スポット照射量を9 fC/spotから100 fC/spotまで変化させた複数の領域を作成した。パターニングされたレジストマスクを介して窒素イオンを注入し、熱処理を施すことでNVセンターを形成した。結果として、電子線描画は安定して実行された。現在は、形成したNVセンターのパルス光磁気共鳴計測による実験を進めている段階であった。ここでは電界放出型 走査電子顕微鏡の観察結果を示す。