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データセット名:ナノダイヤモンド中のNVセンターの電荷安定性に関する研究(2023年度:S-4800)

課題名:ナノダイヤモンド中のNVセンターの電荷安定性に関する研究

データセット登録者(所属機関):TANII, Takashi (早稲田大学)

課題番号:
JPMXP1223WS0003
実施機関:
早稲田大学

要約

ダイヤモンド中のNVセンターを量子計測等に応用するためには、負電荷状態を維持することが重要であるが、ナノダイヤモンドでは周囲の影響で荷電状態が変化しやすい。本研究では、この荷電状態変化のメカニズムを微視的に理解することを目的とした。ITO膜を動作電極とする電気化学セルを顕微鏡にセットアップし、蛍光スペクトルにより荷電状態を識別する測定系を構築した。荷電状態変化が電子の授受か電界効果によるものかを検証するため、ALDを用いてITO膜表面に100℃で5nm厚のアルミナ絶縁膜を成膜した。実験の結果、ITO膜に直接散布した場合とアルミナ表面に散布した場合のいずれでも、印加電圧に従って荷電状態が変化した。5nm厚のアルミナ膜は電荷の授受を妨げる絶縁膜として機能しており、電界効果により荷電状態が変化したことが示唆された。ここでは電界放出型 走査電子顕微鏡の観察結果を示す。

Fig1 シリコン基板上のナノダイヤモンド

キーワード・タグ

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データメトリックス

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データインデックス

https://doi.org/10.71947/arim.jpmxp1223ws0003-1
登録日:
2026.04.23
エンバーゴ解除日:
2026.03.31
データセットID:
5717e3c9-1c1e-40d9-9d66-d4c511935bec
データタイル数:
2
ファイル数:
67
ファイルサイズ:
5.44MB
ライセンス:
ARIMライセンス

成果発表・成果利用