課題番号：

JPMXP1222NU0009

実施機関：

名古屋大学

要約

PLD法を用いてSrTiO3(001)単結晶基板表面上へエピタキシャル成膜したY2O3薄膜の微細組織に関するHRTEM像。Y2O3成膜はHeを混合した雰囲気中で行っている。TEM試料は、薄膜断面方向からの観察が可能となるようにFIBを用いたピックアップ法で調整し、最終的にはArイオンミリングを用いて仕上げた。HRTEM像では、Y2O3薄膜がSrTiO3(001)に対してエピタキシャル成長していることが確認される。また、基板との界面にはアモルファス層などの第二相の形成は認められていない。Y2O3薄膜の内部には、成膜時に生じた格子欠陥に由来すると思われるコントラストが認められた。ただし、別に行った成膜実験から、この欠陥密度はヘリウムガスを混合した雰囲気で堆積したことによって大きく低減されていることが確認されている。ヘリウムガスを混合した雰囲気で堆積することによりPLD成長時のプルームエネルギーが低減し、欠陥形成が抑制されたものと考えられる。なお、関連する成果は、https://doi.org/10.1063/5.0196987で取り纏められている。