データセット名：ワイドバンドギャップ半導体用高性能・高信頼ゲート絶縁膜の開発(2023年度:R-150)
課題名：ワイドバンドギャップ半導体用高性能・高信頼ゲート絶縁膜の開発
データセット登録者（所属機関）：KAWARADA, Hiroshi （早稲田大学）
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0065
- 実施機関：
- 早稲田大学
要約
ワイドバンドギャップ半導体は高耐圧・低損失な電力制御素子の実現に有効であり、実用化が進んでいるが、さらなる性能向上のためには高品質なゲート絶縁膜の開発が不可欠である。本研究では、AlN膜をゲート絶縁膜の一部として形成し、その特性を評価した。GaN基板の前洗浄後、原子層堆積（ALD）装置を用いてAlN膜とAl2O3膜を連続的に形成した。その後、蒸着装置によるゲート電極形成とイオンビームスパッタリングによる裏面電極形成を行い、金属絶縁膜半導体（MIS）型キャパシタを作製した。膜厚の測定には分光エリプソメーターを、電気的特性の測定には半導体パラメータアナライザーを用いた。実験の結果、GaN表面に誘起された二次元電子ガスの面密度はAlN膜厚にほぼ比例し、450 ℃の成膜温度で結晶質AlNが形成された。一方で、AlN膜厚が5 nmに達するとゲート電流が増加する傾向が確認された。ここでは原子層堆積装置の製膜条件を示す。
キーワード・タグ
- 重要技術領域（主）：
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データメトリックス
- ページビュー：
- 71
- ダウンロード数：
- 0
データインデックス
- 登録日：
- 2026.04.23
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- 7d0f7f40-8538-4487-bb6c-260bf8b02c7a
- データタイル数：
- 1
- ファイル数：
- 4
- ファイルサイズ：
- 39.33KB
- ライセンス：
- ARIMライセンス
装置・プロセス
成果発表・成果利用
- 論文等1：
-
Atsushi Hiraiwa, Bias stability enhancement of metal/Al2O3/AlN/GaN capacitors by high-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of thin AlN interlayer, Journal of Vacuum Science & Technology B, 43, (2025).
DOI: https://doi.org/10.1116/6.0004310