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データセット名:高密度・高配向なダイヤモンド中のNVアンサンブルの作製(2023年度:S-4800)

課題名:高密度・高配向なダイヤモンド中のNVアンサンブルの作製

データセット登録者(所属機関):KAWARADA, Hiroshi (早稲田大学)

課題番号:
JPMXP1223WS0063
実施機関:
早稲田大学

要約

ダイヤモンド中のNVセンターは、優れたスピン特性を持つことから、量子コンピューターや磁気センシングへの応用が期待されている。本研究では、さらなる高密度化を目指し、チャンバーフレーム法を用いた窒素ドープダイヤモンドの合成と評価を行った。原料ガスには酸素、アセチレン、窒素を用い、流量条件を変えて基板上に成膜した。SEM観察およびX線回折の結果、基板外郭部は単結晶であったが中央部は多結晶であった。100 [sccm]の条件では、面平行方向への収縮と面垂直方向への伸長が確認された。共焦点顕微鏡による測定の結果、50 [sccm]の基板で4×1016 [cm-3]が得られ、高濃度なNVアンサンブルの作製に成功した。ここでは電界放出型 走査電子顕微鏡の観察結果を示す。

Fig.1 窒素ドープダイヤモンドのSEM画像

キーワード・タグ

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データメトリックス

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データインデックス

https://doi.org/10.71947/arim.jpmxp1223ws0063
登録日:
2026.04.23
エンバーゴ解除日:
2026.03.31
データセットID:
e5168d46-22b3-4cb6-a637-a6c3cd92ec66
データタイル数:
10
ファイル数:
182
ファイルサイズ:
48.17MB
ライセンス:
ARIMライセンス

成果発表・成果利用