データセット名：高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化(2023年度:PD-220)
課題名：高周波領域におけるダイヤモンドFETの高出力化
データセット登録者（所属機関）：KAWARADA, Hiroshi （早稲田大学）
- 課題番号：
- JPMXP1223WS0062
- 実施機関：
- 早稲田大学
要約
高速通信5Gの普及に伴い、高周波領域で動作する高出力半導体デバイスの需要が高まっており、広いバンドギャップと高い熱伝導率を持つダイヤモンドが次世代材料として注目されている。本研究では、ダイヤモンドの熱伝導率を活かしたマルチフィンガー構造と縦型構造を導入したMOSFETの作製と評価を行った。プロセスでは露光装置でのパターン形成後、イオンビームスパッタでマスクを堆積し、ICP-RIEによるトレンチエッチングを実施した。エッチング状態は走査電子顕微鏡等で確認した。またALD法によりゲート絶縁膜としてAl2O3を堆積させた。評価の結果、フィンガー数を2倍にすることで電流密度を維持したまま実電流を増加させた。最大の実電流は-499.9mA、最大発振周波数は0.9GHzであった。ここではプラズマCVD装置の加工条件を示す。
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.04.23
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- e8663788-aeff-4272-b7e3-7669432cf285
- データタイル数：
- 2
- ファイル数：
- 8
- ファイルサイズ：
- 48.01KB
- ライセンス：
- ARIMライセンス