データセット名：強誘電体光学材料のナノ加工（サンプル3）_Lithography
課題名：強誘電体光学材料のナノ加工
データセット登録者（所属機関）：MATSUI, Takayuki（株式会社豊田中央研究所）
- 課題番号：
- JPMXP1223TT0025
- 実施機関：
- 豊田工業大学
要約
難加工性誘電体基板（LiN on SiO2/Silicon）のナノ加工に関する試作を行った。最小線幅60nm程度のライン形成を試した。
サンプル3は、電子ビーム描画装置（TT-031、クレステック CABL-AP50S/RD）を用いてレジストパターンを形成し、、イオンミリング装置（TT-012、日立ハイテクフィールディング IM-4-1）を用いてフォトレジストをマスクとしてArイオンによるLiNのエッチングを行った。
本データセットは、サンプル3の電子ビーム描画装置によるパターン形成のLithography工程を示す。
> 関連データセット：
> 強誘電体光学材料のナノ加工（サンプル3）_Process flow
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.05.07
- エンバーゴ解除日：
- 2024.03.29
- データセットID：
- c7eed3b0-a07d-4e76-b179-30d7f7600e4a
- データタイル数：
- 1
- ファイル数：
- 6
- ファイルサイズ：
- 1.61MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス