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データセット

データセット名:Si熱電デバイスの開発(2023年度:UVISEL ER AGMS iHR320)

課題名:Si熱電デバイスの開発

データセット登録者(所属機関):WATANABE, Takanobu (早稲田大学)

課題番号:
JPMXP1223WS0201
実施機関:
早稲田大学

要約

本研究では、シリコン基板上に形成したシリコンナノワイヤ(Si-NW)を利用する平面型集積熱電デバイスの実証を目指し、Si-NW下部に設けたキャビティ構造が発電性能に与える影響を調査した。デバイスの作製プロセスにおいて、まずICP-RIEを用いて基板表面の自然酸化膜除去を行った。続いて、XeF2ガスを用いたドライエッチングを適用し、デバイス層への損傷を抑えつつSi基板を選択的かつ等方的にエッチングすることで、キャビティを作製した。その後、電界放出型走査電子顕微鏡を用いてデバイスの断面構造観察を実施した。実験の結果、デバイス層を維持したままSi基板のみをエッチングすることに成功し、デバイス層が空中架橋された構造を実現した。今後は、得られたデバイスを用いて熱電発電性能の評価と解析を進める予定である。ここでは高性能分光エリプソメータの測定結果を示す。

Fig.1 キャビティを有する平面型熱電デバイス

キーワード・タグ

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データメトリックス

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36
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データインデックス

https://doi.org/10.71947/arim.jpmxp1223ws0201-2
登録日:
2026.05.07
エンバーゴ解除日:
2026.03.31
データセットID:
10d121b5-4601-4c07-be34-cf878be8146e
データタイル数:
3
ファイル数:
12
ファイルサイズ:
241.51KB
ライセンス:
ARIMライセンス

成果発表・成果利用

論文等1:
Shuhei Arai, Experimental demonstration of scalability in a cavity-free planar silicon-integrated thermoelectric device, Japanese Journal of Applied Physics, 63, 02SP38(2024).
DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad1257
論文等2:
Takuya Miura, Si-based thermoelectric device with cavity achieving a normalized power output of 43 μW cm −2 K −2, Japanese Journal of Applied Physics, 65, 02SP02(2026).
DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae33cc