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スパッタ装置(対向ターゲット式) (Facing Targets sputtering machine)

設備ID
IT-028
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
スパッタ装置(対向ターゲット式)
メーカー名
エフ・ティ・エスコーポレーション (FTS corp)
型番
特注品
仕様・特徴
対向ターゲット式RFスパッタリング(2元) 最大3インチまで (ただし堆積は中央の2インチ程度)
設備状況
稼働中

X線回折装置 (X-ray diffraction machine)

設備ID
IT-029
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
X線回折装置
メーカー名
リガク (Rigaku)
型番
SmartLab
仕様・特徴
薄膜評価用試料水平型
設備状況
稼働中

フォトルミネッセンス測定装置 (Photoluminesence measurement system)

設備ID
IT-030
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
フォトルミネッセンス測定装置
メーカー名
堀場製作所 (Horiba)
型番
顕微PL測定装置
仕様・特徴
励起波長:640nm、1064nm、受光器:GaInAs、対物レンズ:x10(NA0.26)、x100(NA0.5)
設備状況
稼働中

磁気光学効果評価装置 (Evaluation appratus for magneto-optic effect)

設備ID
IT-031
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
磁気光学効果評価装置
メーカー名
プレサイスゲージ サンテック FiberPro アドバンテスト ネオアーク 等のメーカー (Precise Gauges Santech FiberPro Advantest Neoark and other manufacturers)
型番
PGAL-1005 TSL-510 CLS-561 Q8384 BH-762P-TIT
仕様・特徴
プレサイスゲージ社製導波路調芯装置/サンテック社製波長可変光源(波長1500~1680nm)/FiberPro社製ASE光源(~20dBm)/アドバンテスト社製光スペクトラムアナライザ(波長分解能0.01nm)による光導波路試料の磁気光学効果の測定
ファラデー回転測定装置(波長1550nm、最大磁場~1.6T:面直)/ネオアーク社製磁気カー偏光顕微鏡(対物レンズ50倍、最大磁場~0.1T:面内)による薄膜試料の磁気光学効果の測定
設備状況
稼働中

共焦点ラマン顕微鏡 (Confocal Raman microscopy)

設備ID
IT-032
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
共焦点ラマン顕微鏡
メーカー名
WITec (WITec)
型番
alpha300R
仕様・特徴
532 nm レーザー、グレーティング 600 g/mmおよび1800 g/mm(ブレーズ波長 500 nm)、空間分解能 350 nm(XY方向)および900 nm(Z方向)、対物レンズ 10倍・20倍・50倍・100倍、XYZ自動ステージによるラインスキャン・2次元マッピング・3次元マッピング
設備状況
稼働中

マイクロ波プラズマCVD装置 (Mircowave plasma enhanced CVD)

設備ID
IT-033
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
マイクロ波プラズマCVD装置
メーカー名
アリオス (Arios)
型番
DCVD-601BTG
仕様・特徴
マイクロ波周波数 2.45 GHz、マイクロ波パワー 最大6 kW、水素・メタンガスによるダイヤモンド合成、窒素ガスによる不純物ドーピング、基板サイズ 50mmΦまで 窒素を添加することで、現在注目されている量子センサである窒素-空孔(NV)センタを作ることも可能です。
設備状況
稼働中

クライオ共焦点顕微鏡 (Cryogenic confocal microscopy)

設備ID
IT-034
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
クライオ共焦点顕微鏡
メーカー名
レニショー (Renishaw)
型番
inVia Reflex
仕様・特徴
クライオスタットのプラットフォーム温度 3.4~350 K(試料温度は3.5 Kよりも上昇)、レーザ波長 514 nm、対物レンズ 50倍、光検出器 アバランシェフォトダイオードおよび分光器、XYおよびXZの2次元発光マッピング、Hanbury-Brown Twiss計測
設備状況
稼働中

東京エレクトロン300mm ウェハプローバ (Tokyo Electron 300mm Wafer Prober)

設備ID
IT-035
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
東京エレクトロン300mm ウェハプローバ
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
PrecioNanoPV00043
仕様・特徴
150mm, 200mm, 300mmウェハ対応プローバー
多数枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静特性測定
設備状況
稼働中

FormFactor 300mm ウェハプローバ (FormFactor 300mm Wafer Prober)

設備ID
IT-036
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
FormFactor 300mm ウェハプローバ
メーカー名
FormFactor (FormFactor)
型番
CM300
仕様・特徴
チップ~ 300mmウェハ対応プローバー
単枚自動測定対応、シリコンフォトニクス受動デバイス静/動特性測定
設備状況
稼働中

クリーンルーム付帯設備一式 (Equipments for clean room)

設備ID
IT-037
設置機関
東京科学大学(旧:東京工業大学)
設備画像
クリーンルーム付帯設備一式
メーカー名
KLA テンコール キーエンス キーエンス 等のメーカー (KLA Tencor Keyence Keyence and other manufacturers)
型番
P-7 VHX-D510 VHX-7000
仕様・特徴
純水製造装置・薬品処理ドラフトチャンバー・レジスト処理装置・光学顕微鏡(デジタル含)、低真空SEM、触針式段差計などを含むクリーンルーム用設備群
・触針式段差計: Φ150mm電動ステージ > 長距離測定(最大150mm) 垂直測定レンジ(最大)327μm  垂直測定分解能(最高)0.001nm 段差測定再現性 1σ=0.4nm (1μm標準試料) 針圧範囲 0.5~50mg 
・低真空SEM:  レンズ:電子式超深度レンズ+光学 倍率:30-5000倍(垂直)、30-2000倍(傾斜)、50-500倍(光学) 観察像: 2次電子 試料サイス?: Φ100 mm 5軸(XYZ+傾斜+回転) 試料室200 mm ×200 mm 試料高さ 30 mm
・デジタル顕微鏡: ハイレゾリューションヘッド : 1/1.7 型 1,222万 画素 CMOSイメージセンサ  総画素 4,168 (H) × 3,062 (V) 実効画素 4,024 (H) × 3,036 (V)
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