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電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system)
- 設備ID
- IT-038
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JBX-8100
- 仕様・特徴
- スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能
JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。
各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア（GenISys Beamer）を含む。
- 設備状況
- 稼働中
UVナノインプリント露光装置 (UV Nanoimprint Lithography System)
- 設備ID
- IT-039
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- EVG (EVG)
- 型番
- EVG620NT
- 仕様・特徴
- UVによるナノインプリント露光装置。4inchまで対応。解像度限界 L/S 50nm。
- 設備状況
- 稼働中
SAB貼り付け装置 (Surface-activated Room-temperature Bonding)
- 設備ID
- IT-040
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- ムサシノエンジニアリング (Musashino Engineering)
- 型番
- 特注品
- 仕様・特徴
- 特注品
・対応基板サイズ:2インチウェハ
・位置合わせ精度<±1mm ・チャンバー真空 度:＜10^-5 Pa
・接合温度 室温のみ、最大荷重～500kgf、用いている主な接合材料 シリコンおよびInP
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion-beam milling system)
- 設備ID
- IT-041
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東 (Hakuto Co., Ltd.)
- 型番
- IBE-KDC75
- 仕様・特徴
- Arガスを用いたイオンビームエッチング
サンプルサイズは2inch以内で任意形状可能（留め具により垂直に固定）
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム描画装置 (Electron Beam Lithograpy)
- 設備ID
- IT-042
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JBX6300FS
- 仕様・特徴
- スポットビーム、ベクタースキャン方式
ビーム径3nm以下(100kV)、最少線幅10nm以下
重ね合わせ精度/重ね合わせ精度10nm以下
試料最大100㎜φウエーハまで（不定形可能）
- 設備状況
- 稼働中
Eガン蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- IT-043
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 日電アネルバ株式会社 (NEC Anelva Corp.)
- 型番
- VI-45N
- 仕様・特徴
- 三連電子ビーム銃
出力2kW
到達真空度: 1e-6Torr以下
試料サイズ 10cm×5cm角までの任意形状
蒸着原材料: Ti, Pd, Ni, Cr, Au
- 設備状況
- 稼働中
レーザ描画装置 (Laser lithography)
- 設備ID
- IT-044
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ インスツルメンツ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- 375nmレーザ光走査によるパターン生成露光、
最大200mm角露光サイズ（設置できる最大角型基板サイズは9インチ×9インチ）、
最小描画画素0.3um、
アライメント精度±0.25um
CADデータ取り込み機能
- 設備状況
- 稼働中