共用設備検索結果
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多元DC/RFスパッタ装置 (Multi-target DC/RF sputtering system)
- 設備ID
- OS-113
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- キャノンアネルバ (CANON ANELVA)
- 型番
- EB1100
- 仕様・特徴
- 【特徴】
スパッタチャンバー室、ロードロック室を備えた2室構造の平行平板型スパッタ装置。10nm以下の成膜が可能。真空を破らずに基板-ターゲット間距離を100～300mmの範囲で変更でき、搬送から成膜まで自動制御できるシステムを備える。
【仕様】
Au, Pt, Cr成膜用
ターゲット基板間距離100～300mm可変
全自動（排気、搬送、成膜）
最大200mm基板対応可能
- 設備状況
- 稼働中
RFスパッタ成膜装置（金属成膜用） (RF sputtering system (metal))
- 設備ID
- OS-114
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu Electron)
- 型番
- SVC-700LRF
- 仕様・特徴
- 【特徴】
Ti, Cr, W, Au, Pt等の金属のスパッタリングによる成膜が可能。TS間距離が400mmあるので、サンプル表面を均一にスパッタ加工したいユーザーに最適。
【仕様】
試料サイズ：max 4 inch
- 設備状況
- 稼働中
RFスパッタ成膜装置（絶縁体成膜用） (RF sputtering system (oxide))
- 設備ID
- OS-115
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu Electron)
- 型番
- SVC-700LRF
- 仕様・特徴
- 【特徴】
SiO2, Al2O3等の絶縁体のスパッタリングによる成膜が可能
【仕様】
試料サイズ：max 4 inch
- 設備状況
- 稼働中
EB蒸着装置 (EB deposition system)
- 設備ID
- OS-117
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- UEP-2000 OT-H/C
- 仕様・特徴
- 【特徴】
蒸発源として電子ビームを用いることで、蒸発させにくいPt, Au, Ni, Tiなどの金属薄膜の形成が可能。微細構造作製のため基板への斜入射蒸着が可能で、基板の冷却および加熱機能を備える。
【仕様】
高真空中で一度に4種類の金属薄膜形成が可能
試料サイズ：max 4 inch
- 設備状況
- 稼働中
ナノ粒子解析装置（ゼーターサイザー） (Zetasizer)
- 設備ID
- OS-123
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- シスメックス株式会社（マルバーン） (SYSMEX CORPORATION (Malvern))
- 型番
- NANO-ZS
- 仕様・特徴
- 【特徴】
動的散乱光法により溶液中に分散された粒子の粒子径や、ゼータ電位測定が可能な装置です。
低濃度または高濃度サンプルにも対応可能です。
（濃度0.1ppm～40%/Wでの測定が可能）
【仕様】
必要試料量：70μL
粒子径測定：0.6nm～6μm（動的光散乱法）
ゼータ電位測定：3nm～10μm
- 設備状況
- 稼働中
走査型プローブ顕微鏡 (Scanning Probe Microscope)
- 設備ID
- OS-125
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社日立ハイテクサイエンス (Hitachi High-Tech Science Corporation)
- 型番
- AFM5000/AFM5300E
- 仕様・特徴
- 【特徴】
AFM,c-AFM,STM,DFM,MFM,KFM,PRM,電流マッピング,SNDMなどが測定可能な走査型プローブ顕微鏡です。
温度制御、調湿制御機構を備えており、真空下での測定も可能です。
500ｍTの磁場が試料水平方向に印加可能です。
【仕様】
試料サイズ：15mmφ
温度制御：-120～300℃
調湿制御：30～70％
真空中測定：10E-4Paまで可能
磁場印加：試料水平方向に500ｍT
- 設備状況
- 稼働中
接触式膜厚測定器 (Stylus Profiler)
- 設備ID
- OS-126
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- ブルカージャパン株式会社 (Bruker Japan K.K.)
- 型番
- DektakXT
- 仕様・特徴
- 【特徴】
10nm以下の段差を測定できる触針式の膜厚測定器です。
3D機能を備えたプロファイリングシステムを搭載しており、3Dマッピングが可能です。
【仕様】
試料ステージ：150mmφ
分解能：0.4nm
垂直測定レンジ：1 mm
膜厚測定再現性（1σ）：5Å
走査距離上限：55mm
触針圧：1mg～15mg
- 設備状況
- 稼働中
レーザーラマン顕微鏡 (Laser Raman Microscope)
- 設備ID
- OS-127
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- ナノフォトン株式会社 (Nanophoton Corporation)
- 型番
- RAMANtouch VIS-NIR-OUN
- 仕様・特徴
- 【特徴】
試料の分子構造や結晶性の評価が可能な高精度レーザーラマン顕微鏡です。
【仕様】
ライン照射（イメージング）スポット照射（マッピング）
レーザー波長：532nm,785nm（出力500mW）
空間分解能：X;500 nm,Y;350 nm,Z; 1000 nm(@532nm,100X,0.90NA)
スペクトル分解能(FWHM)：1.2cm-1(@785nm,1200gr/nm)
スペクトルピクセル分解能：0.3cm-1(@785nm,1200gr/nm)
回折格子3枚：300gr/mm,600gr/mm,1200gr/mm
ピーク量子効率：90%
ライン照射（イメージング）、スポット照射（マッピング）が可能
共焦点、広視野電動ステージ
- 設備状況
- 稼働中
物理特性測定装置 (Physical Property Measurement System: PPMS)
- 設備ID
- OS-128
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本カンタム・デザイン株式会社 (Quantum Design Japan, Inc.)
- 型番
- DynaCool-9
- 仕様・特徴
- 【用途】
低温・高磁場での材料物性測定
【仕様】
温度制御
温度範囲1.85K～400K
温度安定度±0.02％(T>20K)、 ±0.1％(T≦20K)
温度可変速度 0.01K/分～12K/分
冷却速度 40分：300K→1.9K
磁場制御
超電導マグネット ±９T
磁場均一度 ±0.01％ 1cm×3cm
磁場分解能 0.16 Oe
【測定オプション】
直流抵抗、電気輸送特性（ETO）、Van der Pauw-ホール輸送特性、試料回転機構、多機能プローブ
・精度の高い測定と測定時間の短縮（従来機より高度な温度制御システム、高真空システムが搭載、CAN（Controller Area Network）使用）
・ユーザーの要望に応えられるカスタマイズ性（多機能プローブにより 光学・マイクロ波等を用いた測定や、試料に追加の電極を必要とする測定が可能。
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置（MLA150） (The Advanced Maskless Aligner )
- 設備ID
- OS-129
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg)
- 型番
- MLA150
- 仕様・特徴
- 【特徴】
本装置は、ラピッドプロトタイピング、少量から中量生産、および研究開発環境に適応可能な、マスク不要の非接触レーザー露光装置です。
【仕様】
小描画サイズ：0.5μm
100×100mm2エリアに対する露光所要時間[min] ：
36 (Fast mode)
90 (Quality mode)
露光パターン線幅偏差：[3σ, nm] 120
100×100mm2エリアに対するオーバーレイ精度[3σ, nm] 500
最大基板サイズ ：6インチ x 6インチ
最小基板サイズ ：5 mm x 5 mm
最大露光エリア ：150 x 150 mm2
搭載基板厚さ : 0.1 to 6 mm
干渉計分解能 : 20nm
光源：半導体レーザー（375nm，405nm）
- 設備状況
- 稼働中