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両面マスクアライナー (Manual High Precision Double-Sided Mask Aligner)
- 設備ID
- KT-155
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
- 型番
- MA6 BSA SPEC-KU/3
- 仕様・特徴
- 高性能手動両面マスクアライナ装置。
・光源：高圧UVランプ350W（h、i線）
・基板サイズ：Φ4"、Φ6"
・露光モード：コンタクト（ソフト、ハード）、プロキシミティ
・アライメント精度 ：±0.5um＠表面、 ±0.1um＠裏面
・厚膜レジスト対応
- 設備状況
- 稼働中
高速マスクレス露光装置 (High Speed Maskless Laser Lithography)
- 設備ID
- KT-156
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
- 型番
- D-light DL-1000GS/KCH
- 仕様・特徴
- グレースケール露光機能を備えたDMD方式の高速マスクレス露光装置。
・光源：h線LED（405nm）>1W/cm2
・基板サイズ：MAXΦ6インチ
・最小画素:１µm
・グレースケール露光機能（最大256階調）
・厚膜レジスト対応（>100µm以上）
- 設備状況
- 稼働中
超微細インクジェット描画装置 (Super Fine Inkjet Printer)
- 設備ID
- KT-157
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)ＳＩＪテクノロジ (SIJTechnology, Inc.)
- 型番
- ST050
- 仕様・特徴
- 超微量・高粘度吐出のスーパーインクジェットヘッドにより、大気圧・常温下で微細パターンの直接描画が可能。
・最小吐出量：0.1fL
・最小ライン幅：0.6µm
・対応粘度：0.5～10,000cps
・付属ソフトウェア（複雑パターンが可能）
- 設備状況
- 稼働中
多元スパッタ装置（仕様Ａ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-A )
- 設備ID
- KT-201
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×4（RF電源：1,000W×2）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2
・ターゲット：Ti、Pt、PZT、PLT ほか
・ロードロック機構
- 設備状況
- 稼働中
多元スパッタ装置（仕様Ｂ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-B )
- 設備ID
- KT-202
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1100
- 仕様・特徴
- 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。
・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形
・カソード：非磁性体Φ4PMC×3（RF電源：1,000W×3）
・TS距離：100～200mm
・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ）
・ガス：Ar、O2、N2
・ターゲット： 各種メタル、各種金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
- 設備状況
- 稼働中
電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- KT-203
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EB-1200
- 仕様・特徴
- リフトオフ対応の電子線蒸着装置
・基板サイズ：MAX Φ6×3枚
・電子銃：10kW 4連E型電子銃（22ml x 4）
・温度：RT～300℃（ハロゲンランプ）
・蒸着源-基板間距離：300mm（リフトオフ対応）
・蒸着材料：Al、Ti、Cr、Ni、Au、Pt、Ag、Pd ほか
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム走査電子顕微鏡 (Cross-Beam with Focused Ion Beam and FE-SEM )
- 設備ID
- KT-206
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- エスアイアイ・ナノテクノロジー(株) (SII NanoTechnology Inc.)
- 型番
- NVision40PI
- 仕様・特徴
- 高性能FIBとFE-SEMのクロスビーム装置（各種分析機能付）。
・基板サイズ：MAX Φ30mm
・検出器：SE×2（インレンズSE、チャンバーSE）、反射電子（EsB）
・ガスインジェクションシステム：C、W、SiOx
・マイクロプロービングシステム
・EDX/EBSDインテグレーションシステム：EDAX Pegasus
・ピコインデンターシステム
- 設備状況
- 稼働中
熱酸化炉 (Thermal Oxidation Furnace )
- 設備ID
- KT-207
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム(株) (Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
- 型番
- MT-8X28-A
- 仕様・特徴
- ドライまたはウェット状態でウエハの高温加熱が可能（常用最高温度1,050℃）
・基板サイズ：MAXΦ6×25枚/バッチ
・常用最高温度：1,050℃
・雰囲気：N2、O2（乾燥または湿潤状態）
- 設備状況
- 稼働中
磁気中性線放電ドライエッチング装置 (Magnetic Neutral Loop Discharge Plasma Dry Etcher)
- 設備ID
- KT-209
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- NLD-570
- 仕様・特徴
- 磁気中性線プラズマ（NLD）による低圧・低電子温度・高密度プラズマを搭載したドライエッチング装置。
・基板サイズ：Φ6
・RF電源：2kW＠ICP(13.56MHz)、600W＠BIAS(12.5MHz)
・プロセスガス：C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3 ほか
・用途：石英、ガラス、サファイア、金属酸化物 ほか
・ロードロック機構
- 設備状況
- 稼働中
ドライエッチング装置 (Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
- 設備ID
- KT-210
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-10NR-KF
- 仕様・特徴
- 汎用的な平行平板型反応性イオンエッチング装置。
・基板サイズ：MAX Φ8
・プロセスガス：CHF3、CF4、Ar、O2
・用途： SiO2、SiN、アッシング ほか
- 設備状況
- 稼働中