共用設備検索結果
表示件数
深堀りドライエッチング装置（１） (Reactive Ion Deep Silicon Etcher No.1)
- 設備ID
- KT-234
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-800iPB-KU
- 仕様・特徴
- ボッシュプロセスを導入したMEMS用高速シリコンエッチング装置
(13.56MHz,400KHz 電源搭載)
・ボッシュプロセス
・基板サイズ Φ6ウエハ 用途：Si
- 設備状況
- 稼働中
誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング装置 (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
- 設備ID
- KT-236
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- Gemini-200E
- 仕様・特徴
- 有磁場ICP方式の高密度プラズマエッチング装置。
・基板サイズ：Φ6
・プロセスガス：C4F8、CHF3、CF4、Cl2、BCl3ほか
・用途：各種メタル、GaN、ITOほか
・スター電極による汚れ防止対策
・カセット室装備
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System)
- 設備ID
- KT-237
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.)
- 型番
- RTP-6
- 仕様・特徴
- 赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。
・基板サイズ：MAXΦ6
・温度：RT～1100℃
・雰囲気：各種ガス（N2、Ar、H2/4%）、真空、大気
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition)
- 設備ID
- KT-238
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- AD-800LP-KN
- 仕様・特徴
- ナノレベルかつコンフォーマルの薄膜を形成するためのALD装置。ゲート酸化膜、バリア膜、透過防止膜などへの利用が可能。
・成膜方式：サーマル/プラズマ
・基板サイズ：小片～Φ8"
・材料ガス：BDEAS(Si系)、TMA(Al系)、TDMAT(Ti系) ほか（要相談）
・反応ガス：H2O、O2、O3、N2、NH3、H2
・キャリアガス：Ar、N2
- 設備状況
- 稼働中
UVナノインプリント装置 (UV-based Nanoimprint Lithography)
- 設備ID
- KT-239
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- イーヴィグループ (EV Group)
- 型番
- EVG6200TBN
- 仕様・特徴
- 光硬化性ポリマーやフォトレジストにナノ・マイクロレベルの構造を形成する光インプリントリソグラフィー装置。
・LED光源：365nm、405nm、436nm
・最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
・アライメント：±3.0μm
- 設備状況
- 稼働中
熱インプリント装置 (Hot Embossing System)
- 設備ID
- KT-240
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- イーヴィグループ (EV Group)
- 型番
- EVG510
- 仕様・特徴
- プラスチック基板やポリマーを塗布した半導体ウェハを加熱加圧によりエンボス加工する装置。
・最大基板サイズ：6インチΦ（不定形対応）
・最高プロセス温度/荷重：350℃/20kN
- 設備状況
- 稼働中
パリレン成膜装置 (Parylene Coater)
- 設備ID
- KT-251
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本パリレン合同会社 (Specialty Coating Systems Inc.)
- 型番
- LABCOTER PDS-2010
- 仕様・特徴
- 全面に均一な極薄コーティングが可能であり、微細な隙間中なども均一にカバーする。
・蒸着室有効内容積：215mm（径）×270mm（高さ）
- 設備状況
- 稼働中
ICP-RIE装置 (Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
- 設備ID
- KT-252
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- NE-730
- 仕様・特徴
- ULVAC社製 NE-730
使用ガス：SF6，CF4，C4F8，O2，Ar
4インチウェハ
- 設備状況
- 稼働中
簡易RIE装置 (Tabletop Reactive Ion Etcher )
- 設備ID
- KT-253
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ(株) (Samco Inc.)
- 型番
- FA-1
- 仕様・特徴
- サムコ社製 FA-1
使用ガス：CF4，O2
チラー付属
- 設備状況
- 稼働中
ウエハ接合装置 (Surface Activated Wafer Bonder)
- 設備ID
- KT-254
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ボンドテック(株) (Bondtech Co., Ltd.)
- 型番
- WAP-100
- 仕様・特徴
- 特殊仕様につきアライメント接合不可 プラズマ活性4インチウエハ対応
・4インチウェハ，高精度アライメント
・常温接合・陽極接合
- 設備状況
- 稼働中