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ナノインプリント装置 (Nanoimprint Lithography)

設備ID
KT-255
設置機関
京都大学
設備画像
ナノインプリント装置
メーカー名
(株)マルニ (MARUNI CO., LTD.)
型番
TP-32937
仕様・特徴
国内で最も多く普及しているエアプレス動きを油圧で制御するハイチェック機構付き4インチウエハ対応
・4インチウェハ
設備状況
稼働中

ダイシング装置 (Automatic Dicing Saw)

設備ID
KT-256
設置機関
京都大学
設備画像
ダイシング装置
メーカー名
(株)ディスコ (DISCO Corporation)
型番
DAD322
仕様・特徴
ディスコ社製 DAD322
6インチウェハまで対応
1.5kWエアースピンドル
設備状況
稼働中

ナノインプリントシステム (Nanoimprint Lithography)

設備ID
KT-257
設置機関
京都大学
設備画像
ナノインプリントシステム
メーカー名
Obducat社 (OBDUCAT AB)
型番
Eitre3
仕様・特徴
最大3インチの基板サイズ対応の一括転写ナノインプリント装置
・基板サイズ φ3
・インプリント方式 STU/熱/UV、全面一括
・最高到達温度(熱インプリント時) 250℃
設備状況
稼働中

電子線蒸着装置(2) (Electron Beam Evaporator No.2)

設備ID
KT-258
設置機関
京都大学
設備画像
電子線蒸着装置(2)
メーカー名
(株)大阪真空機器製作所 (Osaka Vacuum, Ltd.)
型番
OVE-350
仕様・特徴
実験用電子線蒸着装置。
・基板サイズ:MAX Φ3""
・電子銃:2kW3連E型電子銃(1m×3)
・温度:300℃(ハロゲンランプ)
設備状況
稼働中

深堀りドライエッチング装置(2) (Reactive Ion Deep Silicon Etcher No.2)

設備ID
KT-259
設置機関
京都大学
設備画像
深堀りドライエッチング装置(2)
メーカー名
サムコ(株) (Samco Inc.)
型番
RIE-800iPB-KU
仕様・特徴
ボッシュプロセスを導入したMEMS用高速シリコンエッチング装置
(13.56MHz,400KHz 電源搭載)
・ボッシュプロセス 
・基板サイズ Φ6"ウエハ 用途:Si
設備状況
稼働中

超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡 (Ultra-High Resolution Filed Emission SEM)

設備ID
KT-301
設置機関
京都大学
設備画像
超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies Corporation)
型番
SU8000
仕様・特徴
絶縁物試料は、チャージアップ抑制機能を用いて観察可能
通常の二次電子像に加え、組成コントラスト、電位コントラストでの像取得が可能
・像分解能 1.0nm@15kV 1.4nm@1kV
・取得可能像 二次電子像,組成像,透過像,透過暗視野像
・試料サイズ Max100mmΦ,高さ30mm以下
設備状況
稼働中

高速液中原子間力顕微鏡 (Liquid-Enviroment High Speed AFM)

設備ID
KT-303
設置機関
京都大学
設備画像
高速液中原子間力顕微鏡
メーカー名
(株)生体分子計測研究所 (Research Institute of Biomolecule Metrology Co., Ltd.)
型番
NanoLiveVision NLV-KS
仕様・特徴
10fpsの動画観察可能な原子間力顕微鏡
・推奨凹凸高さ 30 nm以下
・試料形状例 Φ1.5mm雲母板表面に吸着
・測定環境 液中観察
設備状況
稼働中

共焦点レーザー走査型顕微鏡 (Confocal Laser Scanning Microscope)

設備ID
KT-305
設置機関
京都大学
設備画像
共焦点レーザー走査型顕微鏡
メーカー名
オリンパス(株) (Olympus Corporation)
型番
FV1000
仕様・特徴
・倒立顕微鏡型
・共焦点レーザースキャニング蛍光像(2D, 3D)、微分干渉、水銀ランプ励起蛍光像
・ソフトウェア上で蛍光分子を選ぶだけで自動的に励起レーザー、フィルター、検出器を選択する機能付き
・励起レーザー光源波長 405 nm, 473 nm, 559 nm, 635 nm
設備状況
稼働中

3D測定レーザー顕微鏡 (3D Measuring Laser Microscope )

設備ID
KT-306
設置機関
京都大学
設備画像
3D測定レーザー顕微鏡
メーカー名
オリンパス(株) (Olympus Corporation)
型番
OLS4000-SAT
仕様・特徴
オリンパス(株)社製 OLS4000-SAT
平面測定精度 繰り返し性:3σn-1=0.02μm(100X)
正確さ:測定値の±2%
高さ測定精度 繰り返し性:σn-1=0.012μm(50X)
正確さ:0.2+L/100μm以下(L=測定長μm)
設備状況
稼働中

全反射励起蛍光イメージングシステム (Total Internal Reflection Fluorescence Microscope)

設備ID
KT-308
設置機関
京都大学
設備画像
全反射励起蛍光イメージングシステム
メーカー名
オリンパス(株) (Olympus Corporation)
型番
仕様・特徴
・励起レーザー光源:488 nm LD, 561 nm LD
・全反射によるエバネッセント照明
・各波長での光沁み出し量を最適化
・2台の電子増幅デジタルCCDカメラを同期して蛍光像取得
・CCDカメラの量子効率: >90 % (@575 nm)
・データ取り込み 34 frames/sec.
・励起レーザー光源:488 nm LD, 561 nm LD
設備状況
稼働中
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