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長時間撮影蛍光イメージングシステム (Time-Lapse Fluorescence Microscope)

設備ID
KT-309
設置機関
京都大学
設備画像
長時間撮影蛍光イメージングシステム
メーカー名
オリンパス(株) (Olympus Corporation)
型番
IX81-ZDC2
仕様・特徴
タイムラプス撮影の各撮像操作を行う直前にピントを自動補正。
コンティニュアスフォーカスによるリアルタイムなフォーカス追従が可能。
5次元(XYZTλ)の画像取得が可能。
画像解析ソフト(MetaMorph)による画像解析が可能。
・5次元(XYZTλ)の画像取得が可能
設備状況
稼働中

X線回折装置 (Intelligent X-Ray Diffractometer)

設備ID
KT-310
設置機関
京都大学
設備画像
X線回折装置
メーカー名
(株)リガク (Rigaku Corporation)
型番
SmartLab
仕様・特徴
・試料水平保持方式
薄膜試料に歪み等を与えることなく取り付けることができ、最大サイズ8インチΦの試料の測定、および4インチΦの場合はエリアマップ測定が可能
・多彩な薄膜評価
組成分析、方位・配向分析、結晶性評価、格子緩和評価、格子歪・残留応力評価、膜厚分析、界面ラフネス分析、密度分析、面内均一性評価など
・粉末解析に
定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など
・試料サイズ 最大φ8インチ
・組成分析、方位・配向分析、結晶性評価、格子緩和評価、格子歪・残留応力評価等の測定可能
設備状況
稼働中

分光エリプソメーター (Spectral Ellipsometer)

設備ID
KT-311
設置機関
京都大学
設備画像
分光エリプソメーター
メーカー名
大塚電子(株) (Otsuka Electronics Co., Ltd.)
型番
FE-5000
仕様・特徴
・分光エリプソスペクトルの多波長同時測定
・基板(バルク)光学定数(n、k)が直接解析可能
・角度可変測定により、薄膜のより詳細な解析に対応
・測定膜厚範囲 1nm~1μm
・測定波長範囲 300nm~800nm
・サンプルサイズ 200mmx 200mm以上
設備状況
稼働中

光ピンセットシステム (Optical Tweezers & 3D Trapping System)

設備ID
KT-312
設置機関
京都大学
設備画像
光ピンセットシステム
メーカー名
JPKインスツルメンツ社 (JPK Instruments AG)
型番
NanoTracker
仕様・特徴
・2本のレーザービームによる三次元光トラップが可能
・Force spectroscopyと粒子追跡が可能
・粒子位置を三次元で検出
・光学顕微鏡イメージ上でクリックして粒子位置の操作が可能 ・Multiplexing 機能により、多数の粒子を捕捉することが可能
・2本のレーザービームによる三次元光トラップが可能
・最小Force検出 0.3 pN以下
・NT-O-001ほか
設備状況
稼働中

ゼータ電位・粒径測定システム (Zeta Potential & Particle Size Analyzer)

設備ID
KT-313
設置機関
京都大学
設備画像
ゼータ電位・粒径測定システム
メーカー名
大塚電子(株) (Otsuka Electronics Co., Ltd.)
型番
ELSZ-2Plus
仕様・特徴
希薄から濃厚系試料のゼータ電位・粒子径測定が可能
・測定範囲 ゼータ電位:-200~200mV
・電気移動度:-20×10-4~20×10-4cm2/V・s
・粒子径:0.6nm~7μm
設備状況
稼働中

ダイナミック光散乱光度計 (Dynamic Light Scattering Spectrophotometer)

設備ID
KT-314
設置機関
京都大学
設備画像
ダイナミック光散乱光度計
メーカー名
大塚電子(株) (Otsuka Electronics Co., Ltd.)
型番
DLS-8000DH
仕様・特徴
・動的光散乱法
粒径分布、拡散係数分布を測定
・静的光散乱法
第二ビリアル係数・重量平均分子量・慣性半径の見積もり、重量平均分子量
・動的光散乱法:粒径分布、拡散係数分布測定
・静的光散乱法:第二ビリアル係数・重量平均分子量測定・慣性半径の見積もり
設備状況
稼働中

マイクロシステムアナライザ (Micro System Analyzer)

設備ID
KT-316
設置機関
京都大学
設備画像
マイクロシステムアナライザ
メーカー名
ポリテックジャパン(株) (Polytec)
型番
MSA-500-TPM2-20-D
仕様・特徴
MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)
および表面形状を3次元で測定
・MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)および表面形状を3次元で測定
設備状況
稼働中

プローバ (Prober)

設備ID
KT-317
設置機関
京都大学
設備画像
プローバ
メーカー名
(株)日本マイクロニクス (MICRONICS JAPAN CO., LTD.)
型番
Model 708fT
仕様・特徴
微小電流(fAレベル)領域の解析・評価を行うためのマニュアルプローバ
・マニュアルタイプ
・ウエハサイズ ~Φ200mm
設備状況
稼働中

真空プローバ (Vacuum Probe System)

設備ID
KT-318
設置機関
京都大学
設備画像
真空プローバ
メーカー名
カスケード・マイクロテック(株) (Cascade Microtech, Inc.)
型番
PLV50
仕様・特徴
Φ150mm基板まで対応できるマニュアルプローブシステム
(-40℃~+200℃過調制御可能)
・チャックサイズ:Φ150mm,Φ100mm,小片基板 ほか
・チャック温度:-40~+200℃
・真空チャンバー 制御圧力:10~10-2Pa
設備状況
稼働中

パワーデバイスアナライザ (Power Device Analyzer & Curve Tracer)

設備ID
KT-319
設置機関
京都大学
設備画像
パワーデバイスアナライザ
メーカー名
アジレント・テクノロジー(株) (Agilent Technologies, Inc.)
型番
B1505A
仕様・特徴
基本的にC17のプローバと組み合わせて使用する。(別のプローバ等を使用される場合は、要相談)
・IV測定 電流: 10 fA~1 A 電圧: 2μV~200 V
設備状況
稼働中
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