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インピーダンスアナライザ (Precision Impedance Analyzer)

設備ID
KT-320
設置機関
京都大学
設備画像
インピーダンスアナライザ
メーカー名
アジレント・テクノロジー(株) (Agilent Technologies, Inc.)
型番
4294A
仕様・特徴
アジレント・テクノロジー(株)社製 4294A
基本インピーダンス確度 ±0.08%
周波数 40Hz~110MHz
真空プローバ;カスケード・マイクロテック社製 PLV50
チャックサイズ:Φ150mm,Φ100mm,小片基板 ほか
チャック温度:-40~+200℃
真空チャンバー 制御圧力:10~10-2Pa
設備状況
稼働中

光ヘテロダイン微小振動測定装置 (Optical Heterodyne Laser Doppler Vibrometer )

設備ID
KT-321
設置機関
京都大学
設備画像
光ヘテロダイン微小振動測定装置
メーカー名
ネオアーク(株) (NEOARK Corporation)
型番
MLD-230D-200K
仕様・特徴
ネオアーク(株)社製 MLD-230D-200K
測定方向 縦振動、横振動の方向を切り替えて測定
測定周波数 1kHz~200MHz
設備状況
稼働中

超微小材料機械変形評価装置 (Nano-Indenter)

設備ID
KT-322
設置機関
京都大学
設備画像
超微小材料機械変形評価装置
メーカー名
(株)エリオニクス (ELIONIX INC.)
型番
ENT-2100
仕様・特徴
用途:圧子を微小荷重で試料に押込み、押込み深さを連続的に測定することで、試料表面の力学的特性を評価する装置。
・最大試料サイズ Φ50x t3.5mm
・荷重範囲 1μN~100mN
設備状況
稼働中

セルテストシステム (Solar Cell Tester)

設備ID
KT-324
設置機関
京都大学
設備画像
セルテストシステム
メーカー名
Solartron社 (Solartron Analytical)
型番
1470E
仕様・特徴
英国ソーラトロン社製セルテストは、 インピーダンスアナライザ(1260型)と8チャンネルポテンショ/ガルバノスタット(1470E型)から構成されます。
様々な電気化学測定が最大8チャンネルまで独立測定が可能です。
各種電池、キャパシタなどエネルギーデバイスの伝導度測定、酸化還元電位測定、 インピーダンス測定による劣化解析などが可能です。
・インピーダンスアナライザと8チャンネルポテンショ/ガルバノスタットの構成
・8チャネル独立測定可能
設備状況
稼働中

卓上顕微鏡(SEM) (Tabletop SEM)

設備ID
KT-325
設置機関
京都大学
設備画像
卓上顕微鏡(SEM)
メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies Corporation)
型番
TM3000
仕様・特徴
簡単な操作で高倍率の表面観察ができます。低真空観察法により、帯電しやすい試料でも金属コーティングをせず、そのまま観察ができます。
・倍率 15~30,000倍
・試料最大寸法 Φ70mm
設備状況
稼働中

高周波伝送特性測定装置 (Manual Prober)

設備ID
KT-326
設置機関
京都大学
設備画像
高周波伝送特性測定装置
メーカー名
(株)アポロウエーブ (APOLLOWAVE Corporation)
型番
α150
仕様・特徴
(株)アポロウエーブ社製 α150
チャックサイズ6インチ(室温~300℃)
プローブ位置合わせのストローク量: X,Y,Z各±5 mm
RFプローブキット
ネットワークアナライザ
半導体パラメータアナライザ
設備状況
稼働中

RFプローブキット (RF Microwave Probe Kit)

設備ID
KT-327
設置機関
京都大学
設備画像
RFプローブキット
メーカー名
カスケード・マイクロテック(株) (Cascade Microtech, Inc.)
型番
ZPROBE
仕様・特徴
高周波対応のプローブ針。
・特性インピーダンス:50Ω
・周波数:DC~40GHz
・RF出力:MAX 5W@40GHz
・DC電流:MAX 1.5A
・DC電圧:MAX 100V
・ピッチ:250μm
設備状況
稼働中

ネットワークアナライザ (Vector Network Analyzer)

設備ID
KT-328
設置機関
京都大学
設備画像
ネットワークアナライザ
メーカー名
ローデ・シュワルツ・ジャパン(株) (ROHDE & SCHWARZ)
型番
ZVB14
仕様・特徴
測定可能周波数:10kHz~14GHz
設備状況
稼働中

半導体パラメータアナライザ (Semiconductor Parameter Analyzer)

設備ID
KT-329
設置機関
京都大学
設備画像
半導体パラメータアナライザ
メーカー名
ケースレーインスツルメンツ(株) (Keithley Instruments, Inc.)
型番
4200-SCS
仕様・特徴
最大200V印加、電流上限:2W/印加
電流最小分解能:0.1fA
設備状況
稼働中

強誘電体特性評価システム (Piezoelectric Properties Evaluation System)

設備ID
KT-330
設置機関
京都大学
設備画像
強誘電体特性評価システム
メーカー名
㈱東陽テクニカ (TOYO Corporation)
型番
FCE-3
仕様・特徴
㈱東陽テクニカ社製FCE-3
分極 ヒステリシス測定、誘電率測定
測定温度範囲20℃~500℃
設備状況
稼働中
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