レーザー直接描画装置
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-103 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | レーザー直接描画装置 (Laser Pattern Generator ) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | ハイデルベルグ・インストルメンツ(株) (Heidelberg Instruments) |
| 型番 | DWL2000 |
| キーワード | レジストパターニング レーザー描画 グレースケール露光可 光露光（マスクレス、直接描画）/ Optical exposure (maskless and direct drawing) |
| 仕様・特徴 | 偏向変調されたΦ1umのLDビーム、高精度制御のステージとの組み合わせにより微細パターンを描画。 ・光源：h線LD（405nm） ・基板サイズ：MAX □200mm ・描画サイズ：min0.7μm ・グレースケール露光対応 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=KT-103 |
