多元スパッタ装置（仕様Ｂ）
最終更新日：2026年3月4日
| 設備ID | KT-202 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | 多元スパッタ装置（仕様Ｂ） (RF Magnetron Multi-Sputter Type-B ) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | キヤノンアネルバ(株) (CANON ANELVA CORPORATION) |
| 型番 | EB-1100 |
| キーワード | 各種材料成膜（Ar/O2雰囲気） スパッタリング（スパッタ）/ Sputtering |
| 仕様・特徴 | 研究開発～小規模生産用の高性能RFマグネトロンスパッタリング装置（高温対応）。 ・基板サイズ：Φ4、Φ6、不定形 ・カソード：非磁性体Φ4PMC×3（RF電源：1,000W×3） ・TS距離：100～200mm ・温度：RT～800℃（ハロゲンランプ） ・ガス：Ar、O2、N2 ・ターゲット： 各種メタル、各種金属酸化物 ほか ・ロードロック機構 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=KT-202 |
