シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-212 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
| 設備名称 | シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム (Vapor HF Release Etcher) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.) |
| 型番 | MLT-SLE-Ox |
| キーワード | HFガス応用酸化膜犠牲層エッチング ガスエッチング/ Gas etching |
| 仕様・特徴 | 気相HFによってSiO2を選択除去するためのドライエッチング装置（非プラズマ）。 ・基板：MAX Φ8（常用Φ6）×3枚、不定形可 ・用途：SOIデバイスのBOXエッチ など |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=KT-212 |
