赤外線ランプ加熱装置
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-237 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 吉田キャンパス |
| メーカー名 | アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.) |
| 型番 | RTP-6 |
| キーワード | ランプ加熱装置 熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing |
| 仕様・特徴 | 赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。 ・基板サイズ：MAXΦ6 ・温度：RT～1100℃ ・雰囲気：各種ガス（N2、Ar、H2/4%）、真空、大気 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=KT-237 |
