ICP-RIE装置
最終更新日：2024年4月2日
| 設備ID | KT-252 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 (Inductive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
| 設置機関 | 京都大学 |
| 設置場所 | 京都大学 桂キャンパス |
| メーカー名 | (株)アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | NE-730 |
| キーワード | 誘導結合型ドライエッチング プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | ULVAC社製 NE-730 使用ガス：SF6，CF4，C4F8，O2，Ar 4インチウェハ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=KT-252 |
