有機金属気相成長装置
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最終更新日：2026年4月30日
| 設備ID | IT-010 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | 有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy) |
| 設置機関 | 東京科学大学（旧：東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | 日本酸素 ( Nippon Sanso) |
| 型番 | HR-3246 |
| キーワード | InP系化合物半導体、化学蒸着（CVD）装置/ Chemical vapor deposition (CVD) |
| 仕様・特徴 | InP用 ・ウェハトレイ：石英製2インチウェハトレイ ・III族材料：TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料：AsH3(100%)，AsH3(1%)，PH3(100%)，Si2H6，C2H6Zn |
| 設備状況 | 共用を終了した設備です |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=IT-010 |
