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JST,薄膜トランジスタを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発 ~4K8K大型テレビの製造コストを大幅に低減~(産学共同実用化開発事業(NexTEP)の成果)

 国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)は平成31年2月22日,産学共同実用化開発事業(NexTEP)の開発課題「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザーアニール技術」の開発結果を成功と認定した,とのプレスリリースを行った.

 この開発課題は,山形大学大学院理工学研究科 城戸 淳二教授の研究成果を基に,平成27年3月から平成30年3月にかけて株式会社ブイ・テクノロジーに委託し,同社にて実用化開発を進めていたものである.

 4K8K放送では画素数が増加し,画素あたりの表示時間が短くなるため,一般的な大型液晶テレビで採用されているアモルファスシリコン(a-Si)膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)素子からなるフラットパネルディスプレイ(FPD)では対応できなかった.

 本開発では,a-Si膜のTFT素子のチャネル領域のみをレーザーアニール処理して,局所的に再結晶化することでTFT素子を高速化する技術を基に,量産する際の課題を解決して試作機に実装し,大型ガラス基板に対してその効果を実証した.