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研究の公募

文科省,次世代X-nics半導体創生拠点形成事業の公募

 文部科学省は令和3年12月24日,「次世代X-nics半導体創生拠点形成事業」について,令和3年12月20日に公募を開始した,と報じた.

 本事業では,カーボンニュートラル2050やデジタル社会の実現,経済安全保障の確保に向けて重要な役割を果たす革新的半導体集積回路の創生を目的とし,我が国の強みを活かした研究開発及び人材育成の中核的なアカデミア拠点形成を推進する.

 事業の名称にもなっている「次世代 X-nics 半導体」とは,例えばフォトニクス,スピントロニクス,トポトロニクス等の新たな材料の集積回路への活用,ニューロモルフィクス等の新たな設計・原理の活用など,異なる分野の融合(例:新たな材料 X集積回路)等を通じ全く新しい半導体創生を目指す意味を込めた造語である.本事業において,異分野同士の掛け算から生まれる新しい切り口(X)で,“次(neXt)”の時代を席巻する半導体集積回路が創出され,将来,新たな高付加価値産業を切り拓いていくことを期待している.

 公募期間:令和3年12月20日(月曜日)~令和4年2月7日(月曜日)17時00分(厳守)