参画機関から

微細加工 産業技術総合研究所,名古屋大学,物質・材料研究機構微細加工プラットフォーム

薄膜実践セミナーIV(11月30日)開催のお知らせ

 産業技術総合研究所ナノプロセシング施設(NPF),名古屋大学未来材料・システム研究所,物質・材料研究機構微細加工プラットフォームは,「薄膜技術実践セミナーⅣ」を2018年11月30日(金)産業技術総合研究所つくば中央にて開催いたします.
 前半は,スパッタ堆積法,後半は原子層堆積法(ALD)の成膜技術について紹介いたします.
 また,このセミナーへの参加をより充実した機会にするために,実習コースを併設しています.
 産学官にかかわらず,多くの皆様のご参加をお待ちしています.

【日時】2018年11月30日(金)12:55~17:20
【場所】産業技術総合研究所つくば中央2-12棟第6会議室
http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html

【主催】
産業技術総合研究所ナノプロセッシング施設(NPF)
名古屋大学未来材料・システム研究所
物質・材料研究機構微細加工プラットフォーム

【参加費】無料(*事前登録制)
【定 員】90名(*先着順,参加登録をお願いします)
【参加申込締切】平成30年11月26日(月)15時まで(*定員になり次第締切)

【講演プログラム】
12:55-13:00 「はじめに」 産総研共用施設ステーション 多田哲也
13:00-13:40 『HfO2結晶薄膜の強誘電性とデバイス応用の魅力』
       産業技術総合研究所 右田真司
13:40-14:20 『マグネトロンスパッタによる磁性多層膜等のスパッタ条件依存性』
       名古屋大学未来材料・システム研究所 岩田聡
14:20-15:00 『強誘電体メモリーに関する成膜プロセス』
       株式会社ULVAC半導体技術研究所 宮口有典
15:00-15:20 休憩(オーサーズインタビュー)
15:20-16:00 『ALD法を用いた電子デバイスの強誘電体/高誘電体薄膜の作製技術』
       物質・材料研究機構 生田目俊秀
16:00-16:40 『Controlling HfO2plasma ALD: doping and substrate biasing to tune film properties
       for ferroelectric applications』
       オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社 伊藤昌平
16:40-17:00 『NPFの原子層堆積(ALD)装置による成膜紹介』
       産業技術総合研究所ナノプロセシング施設 山崎将嗣
17:00-17:20 オーサーズインタビュー



◇実習コース◇
〈日 時〉平成30年12月から平成31年2月の間の3日間
〈場 所〉産業技術総合研究所つくば中央2-12棟ナノプロセシング施設(NPF)
〈実習内容〉
  SrTiO3誘電体薄膜形成とその結晶性・電気特性評価などを盛り込んだ機能性酸化物材料の
  開発のための基礎的なスキルを習得します.
〈参加費〉50,000円/人
〈定 員〉3名(同時に実施いたします)

【お問い合せ】
国立研究開発法人 産業技術総合研究所
TIA推進センター 共用施設運営ユニット 共用施設ステーション ナノプロセシング施設
電子メールアドレス:tia-npf-school3(at)aist.go.jp
※(at)をアットマークに変更してからご使用ください.