参画機関から

微細加工 産業技術総合研究所 産業技術総合研究所

薄膜技術実践セミナー薄膜技術実践セミナーV(1月22日)開催のお知らせⅤ(1月22日)開催のお知らせ

【日時】2020年1月22日(水)12:55~17:30
【場所】産業技術総合研究所つくば中央2-12棟第6会議室
https://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html

【主催】
産業技術総合研究所 ナノプロセッシング施設(NPF)

【参加費】無料(*事前登録制)
【定員】90名(*先着順,参加登録をお願いします)
【参加申込締切】令和2年1月21日(火)17時まで(*定員になり次第締切)

【講演プログラム】
12:55-13:00 『はじめに』  産総研 TIA 共用施設ステーション 多田哲也
13:00-13:30 『酸化膜積層構造を用いた新しいメモリ技術』
              産業技術総合研究所 宮田典幸
13:30-14:00 『新型不揮発性メモリ用多元化合物材料の成膜技術』
              株式会社アルバック半導体電子技術研究所 増田健
14:00-14:30 『ECR スパッタ成膜による酸化物・窒化物 薄膜形成技術』
              JSWアフティ株式会社 神好人
14:30-15:00 『ECR イオンシャワー装置を用いたリフトオフ成膜について』
              株式会社エリオニクス 杉原達記
15:00-15:20 休憩 (オーサーズインタビュー)
15:20-15:50 『SPP テクノロジーズ社製プラズマ CVD 装置によるSiN膜などの成膜技術のご紹介』
              SPPテクノロジーズ株式会社 金尾寛人
15:50-16:20 『高純度オゾンガスとエチレンガスを使った低温CVD・ALDプロセス』
              株式会社明電舎 亀田直人
16:20-16:50 『ALD 用原料とその原料を用いた ALD プロセスの開発』
              株式会社高純度化学研究所 水谷文一
16:50-17:10 『NPF の原子層堆積( ALD )装置による成膜紹介』
              産業技術総合研究所ナノプロセシング施設 山崎将嗣
17:10-17:30 オーサーズインタビュー


【お問い合せ】

国立研究開発法人 産業技術総合研究所
TIA推進センター 共用施設運営ユニット 共用施設ステーション ナノプロセシング施設
電子メールアドレス:tia-npf-school3(at)aist.go.jp
※(at)をアットマークに変更してからご使用ください.