【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.05.06】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24OS0045
利用課題名 / Title
シリコン基板とめっき膜の透過電子顕微鏡観察用試料の作製
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス, 薄膜
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
福室 直樹
所属名 / Affiliation
兵庫県立大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
森 大樹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
高木 空
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
貴金属微粒子を触媒として種々の条件で金属援用エッチングしたシリコン基板に形成される多孔質構造を透過電子顕微鏡(TEM)で観察して解析し、その形成機構を解明するため、ディンプルグラインダーとイオンミリング(PIPS)を使用して断面観察用試料を作製した。無電解銅めっきの析出条件と添加剤の種類を変更して得られた銅膜の結晶粒の大きさと粒内のナノボイドの分布状態をTEMで観察して解析するため、PIPSを使用して膜面観察用試料を作製した。
実験 / Experimental
機械研磨したシリコンの貼り合せ試料の中心をディンプルグラインダーで研磨し、PIPSで穴が開くまでミリングした。基板から剥離した銅めっき膜をPIPSで穴が開くまでミリングした。
結果と考察 / Results and Discussion
作製したシリコン基板の断面観察用試料と銅めっき膜の膜面観察用試料を持ち帰ってTEM観察を行った結果、エッチング条件によってシリコン基板に形成される多孔質構造が異なることがわかった。また、添加剤を用いた場合には銅めっき膜の結晶粒は小さくなったが、粒内のナノボイドの分布状態は大きく変化しないことがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 田尾拓磨, 福室直樹, 八重真治 ,“無電解銅めっき膜中に共析した水素と膜の構造に及ぼす添加剤の効果 ―EDTA浴におけるゲルマン酸ナトリウム添加の効果―”表面技術協会第151回講演大会（東京）, 令和7年3月12日
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件