【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
24KT2194
利用課題名 / Title
広帯域な方向性結合器の集積化
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
集積回路,方向性結合機,ボンディング/ Bonding
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
金城 良守
所属名 / Affiliation
大阪工業大学 工学部電気電子システム工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
大槻祥太郎,濱田昌鴻,大室樹生
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
高橋英樹
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
東京大学d.labのIC試作サービスを利用して作製したシリコンチップの特性評価のために、金スタッドバンプ形成を狙ったボールボンディングを実施した。また通常のICと評価基板間のボンディングも行った。
実験 / Experimental
チップ上のAlパッドは開口65umで、Φ25umのAuワイヤのボンディング（KT-224）を行った。図１に本実験でPCB上にICチップをワイヤーボンディングして作製したチューナブルカプラーの構成図を示す。
結果と考察 / Results and Discussion
チップをボンディング後にフリップさせたいため、カプトン両面テープでPCB上にチップを固定する方法を採用した。しかし、接着層の厚みと柔らかさのために、キャピラリー圧着時にチップが沈み込んでしまい、ボンディングに失敗することが多かった。また、ボンディング後の金スタッドバンプも、ピンセットで少し触れるだけで外れてしまった。そこで京都大学ナノハブ拠点よりSEM用の薄い両面テープ利用の提案がありボンディングを試みたところ、圧着時のチップ沈み込みがおよそ1/10程度と緩和され、強固なボンディングを70%程度の高い成功率で実現することができた。根本対策としては、耐熱性接着剤でICと樹脂基板を接着させたことで、沈み込み問題は解消できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 チューナブルカプラーの構成
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件