【公開日：2025.06.10】【最終更新日：2025.03.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24OS1061

利用課題名 / Title

半導体ナノフォトニクス制御素子の作製

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

ナノカーボン/ Nano carbon,電子線リソグラフィ/ EB lithography,フォトニクス/ Photonics,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

藤方 潤一

所属名 / Affiliation

徳島大学ポスト LEDフォトニクス研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-104：自動搬送電子ビーム描画装置
OS-109：深掘りエッチング装置
OS-117：EB蒸着装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

ナノフォトニクスであるメタサーフェイス構造による光制御デバイスが、光通信技術において注目されている。本研究ではSi半導体およびGe半導体を用いた通信波長帯で動作する光偏向制御デバイスを検討する。

実験 / Experimental

Silicon-on-insulator(SOI)基板上に電子線リソグラフィとCrマスクにより400nm程度のサイズの加工マスクを形成し、ドライエッチングプロセスにより高さ500nmの微細パターンを800nm程度の周期で作製した。

結果と考察 / Results and Discussion

良好なCrマスクパターンが形成され、ドライエッチング条件を最適化することにより幅400nm程度、高さ500nmの良好なナノフォトニクス・メタサーフェスパターンが形成出来た。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

Cr微細パターンSEM写真

作製したSiナノパターンSEM写真

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件