利用報告書 / User's Reports

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【公開日:2025.06.10】【最終更新日:2025.05.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

24OS1065

利用課題名 / Title

高精度半導体量子デバイスの開発

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

量子効果/ Quantum effect,スパッタリング/ Sputtering


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

藤田 高史

所属名 / Affiliation

産業科学研究所 量子システム創成研究分野

共同利用者氏名 / Names of Collaborators Excluding Supporters in the Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Supporters in the Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術相談/Technical Consultation


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-114:RFスパッタ成膜装置(金属成膜用)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

量子現象を応用した革新的情報デバイス創出のための、GaAs、Ge、Si半導体を基盤とした低次元量子構造の開発を行っている。光子‐電子スピン変換とスピン量子ビットの安定化を目指す。酸化膜界面における原子オーダーの欠陥や有機不純物準位を低減する重要性が明確になり対応を模索している。

実験 / Experimental

1.SiGe/Ge量子井戸基板およびSi基板の表面処理に酸素プラズマを使用。2.Si基板上に金属製の描画装置用アライメントマーカーを作成するため、表1のパラメータでスパッタを行った。

結果と考察 / Results and Discussion

1.有機溶媒で洗浄したSi基板に25℃, 20分のUVオゾンクリーニングを施すことで、MMA Copolymerを塗布できることを確認した。この上にPMMAを塗布することで、大きなアンダーカットが得られる2層EBレジストを形成でき、微細な電極パターンのリフトオフ成功率向上が期待される。2.基板上の異なる四つのマーカーに対して段差測定を行ったところ、それぞれのマーカーの厚さと平均値は表2のようになった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


表1 スパッタリングのパラメータ



表2 段差測定の結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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