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大分類:成膜・膜堆積
研究機関:大阪大学
研究分野:分子・物質合成

成膜・膜堆積

半導体デバイス等の機能を発現するために半導体,絶縁体,金属などの薄層をチップ上に重ねて形成する.また保護膜のニーズもある.膜形成材料,膜の厚さ,品質・精度などの要求条件に対応できる各種成膜・堆積技術がある.成膜・堆積技術としては,気相法の他に,メッキなどのように液相法もある.なお,堆積とパターン形成を同時に行うもの,例えば印刷技術などはリソグラフィー・露光・描画装置の大分類に入っている.

該当する中分類件数:3件

蒸着(抵抗加熱、電子線)

真空蒸着装置は真空にした容器の中で,蒸着材料を加熱などにより気化もしくは昇華して,離れた位置に置かれた基板の表面に付着させ,薄膜を形成する装置である.加熱手段には抵抗加熱,電子ビーム照射,高周波誘導,レーザー照射などの方法がある.真空蒸着法の長所は,膜の厚さの微妙なコントロールができることである.可能な蒸着材料はAl,Ag,Au,Ti,Ni,Cu,Cr,Sn,Inなどの金属およびAl2O3,SiO2などの酸化物である.

スパッタリング

ターゲット(物質)にArなどの不活性な物質を高速で衝突させ,ターゲットを構成する原子や分子を叩き出し,この叩き出された原子や分子を基板上に付着させ薄膜を形成する技術をスパッタリングという.基板への付着力の強い膜の作製,合金系や化合物のターゲットの組成比をほぼ保ったまま膜作製が可能,融点の高い物質でも堆積が可能,スパッタするガスに反応性のガスを混合することによって,酸化物,窒化物の薄膜の作成も可能などの特徴がある.

MBE(分子線エピタキシー)

分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy:MBE)とは,超高真空中で,複数の蒸発源から分子(原子)線を発生させて,加熱して清浄化された基板結晶上で反応させ,基板結晶と原子配列のそろった結晶を成長させる(エピタキシャル成長)技術である.シャッターを開閉することで簡単に原料の供給を制御でき,複数の原料を切り替えて組成の異なる半導体層を積層することも容易である.