文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ！　研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID A-QS-003
分類 放射光計測装置 ＞ X線回折法(XRD)
成膜・膜堆積 ＞ MBE(分子線エピタキシー)
設備名 表面X線回折計
(Surface X-ray diffractometer)
地域 近畿
設置機関 量子科学技術研究開発機構
研究分野 微細構造解析
担当部署または担当者 QSTコヒーレントX線利用研究グループ　高橋正光
仕様

設置場所：BL11XU（量子科学技術研究開発機構）
光エネルギー：6-70keV
特徴：分子線エピタキシー（MBE）チェンバーを搭載した表面構造解析用X線回折計。半導体量子ドットや半導体多層膜などの成長過程をX線回折によりその場観察・リアルタイム観察可能。2台のMBEチェンバーを交換し、GaAs, InAsなどのヒ素化合物成長とRF-MBEによるGaN、InNなどの窒化物半導体成長を行うことができる。

利用例: 半導体量子ドット、半導体多層膜の成長過程のリアルタイム解析
A-QS-003

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