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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-140
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
設備名 RF・DCスパッタ堆積装置(芝浦)
(RF-DC Sputter Deposition Equipment(Shibaura))
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つあり、3種類までの材料を同一バッチで成膜することが出来ます。
ロードロック式なので基板交換を迅速に行えます。真空システムと基板搬送は自動化してあり、操作パネルで手軽に操作出来ます。
F-AT-073スパッタ成膜装置(芝浦)と同型ですが、排気ポンプ能力が大きく、短時間に高真空が実現できます。また操作が簡単な直流スパッタが利用できます。
基板加熱なし、常磁場カソードのみの装着です。

  • 型式:CFS-4EP-LL、i-Miller
  • スパッタ源 : 3インチマグネトロン×3式
  • スパッタ方式 : 直流スパッタ、高周波スパッタ
  • 基板テーブル : 回転機構付、逆スパッタ可能、Φ200 mm
  • ターゲット-基板間距離 : 82 mm
  • 基板加熱 : なし
  • 膜厚分布 : ±5%以内@膜厚~600nm(SiO2、Φ170 mm)
  • 到達真空度 : 10-5 Pa台
  • スパッタガス : Ar、O2、N2
  • 成膜時ガス圧(標準): 0.5Pa
  • 常備ターゲット : Au、Pt、Ti、Cr、Ta、W、Cu、Al、SiO2、TiN

 

F-AT-140

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