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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-145
分類 成膜・膜堆積 ＞ スパッタリング
膜加工・エッチング ＞ ドライエッチング(ECR)
設備名 ECRスパッタ成膜・ミリング装置
(ECR sputter deposition and milling system)
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチングを途中で真空を破らずに連続して行えることを特徴としています。
代表的な応用例としては、数十～数百nm幅の微細パターンをマスクにして、本装置で難エッチング材料の成膜と、パターン側面に付着した薄膜のエッチングによる除去を行い、続いてリフトオフを行うことで微細パターンを作製することが可能です。さらに、成膜とエッチングを繰り返し行うことで、高アスペクト比の微細構造を作製することも可能です。

●型式:EIS-200ERP
●イオンソース:ECR方式
●ガス種:Ar (最大流量5sccm)
●圧力:0.01 Pa
●加速電圧:30～3000 V
●マイクロ波:最大100 W
●試料ステージサイズ:Φ75 mm
●材料ターゲットサイズ:Φ100 mm
F-AT-145

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