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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-AT-089
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
膜加工・エッチング > ドライエッチング(その他)
設備名 多目的エッチング装置(ICP-RIE)
(ICP Reactive Ion Etching System(ICP-RIE))
地域 関東
設置機関 産業技術総合研究所
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 共用施設ステーション
仕様

放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP)方式を採用し、各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、主にシリコンおよび酸化シリコン膜などの高精度の異方性エッチングが可能です。また、シリコンの深堀りも可能です。

●放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
●試料サイズ: 4インチウェハまで対応
●試料導入方式: ロードロック式
●試料温度制御: -18℃~常温
●ICP高周波電源: 最大500W 、13.56MHz
●バイアス高周波電源: 最大200W、13.56MHz
●使用ガス: SF6、CHF3、CF4、Ar、O2

F-AT-089

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