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研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-GA-332
分類 成膜・膜堆積 > スパッタリング
膜加工・エッチング > 集束イオンビーム加工
設備名 デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
(Dual ion beam sputtering system)
地域 四国
設置機関 香川大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

ハシノッテク社製デュアルイオンビ-ムスパッタ装置
 10W-IBS
 熱陰極型イオン源:2基(50~1000eV)
 基板加熱温度:最大700゜C

【ビームガン1:エッチング用】
    イオン銃:熱陰極型
    イオン化ガス:Ar
    ビーム電圧:100~1200V
    ビーム電流:50~300mA
    加速電圧:75~500V
    イオン流密度:0.3~0.6mA/cm2 (500V加速時)
    ビーム有効径:φ4インチ(分布測定可能)
    真空度:~8x10^-5Pa
    試料寸法:φ4インチまで

【ビームガン2:デポジション用】
    イオン銃:熱陰極型
    イオン化ガス:Ar
    ビーム電圧:100~1200V
    ビーム電流:50~300mA
    加速電圧:75~500V
    ターゲット:Au、Cr、Tiほか
    ステージ角度:ターゲットに対し-90~+90℃設定可
    ステージ位置:上下50mm調整可
    真空度:~8x10^-5Pa
    試料寸法:φ4インチまで

F-GA-332

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