文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-IT-162
分類 膜加工・エッチング > ドライエッチング(RIE)
設備名 リアクティブイオンエッチング装置
(Reactive ion etcher )
地域 関東
設置機関 東京工業大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者
仕様

サムコ製ICP-400iP(ダイヤモンド、Siエッチング用)ダイヤモンド、Si、SiO2などがエッチング可能。ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大4インチ, 2インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種:CHF3, O2, CF4

F-IT-162

この設備に関連する成果事例

この設備に関連する成果事例はありません。

この設備に関するお問い合わせ先

本研究設備の詳細や利用方法等は、問い合わせフォームよりお問い合わせください。

設置機関Webサイト 設置機関Webサイト   この設備について問い合わせる この設備について問い合わせる(設置機関への問い合わせフォーム)