文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ! 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます。

研究設備詳細情報

事業名 ナノテクノロジープラットフォーム
機器ID F-OS-322
分類 リソグラフィ・露光・描画装置 > 電子線描画(EB)
設備名 高速大面積電子ビームリソグラフィー装置
(high speed wide area electron beam lithography system)
地域 近畿
設置機関 大阪大学
研究分野 微細加工
担当部署または担当者 ナノテクノロジー設備供用拠点
仕様

【特徴】
加速電圧50kVで1μAのビーム電流を得られます。
最高クロック周波数100MHzの高速ビーム変更システムを搭載し、大面積を高スループットで描画することに特化した装置です。
【仕様】
電子銃:ZrO/W熱電界放出型(TFE)
描画方式:ベクタースキャン方式
加速電圧:50kV
ビーム電流量:1X10-10~1X10-6A
描画フィールド:100X100μm~3000X3000μm
ビーム位置決め分解能:0.1nm(100μm field時)
ブランキング速度:25ns
ステージ位置読み取り制度:0.3nm
最大試料サイズ:6インチφウエハー
観察倍率:X50~X500K

F-OS-322

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