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53件中、1件目~20件目を表示しています。

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写真 設備名称 設置機関 研究分野 仕様
スパッタ成膜装置(芝浦) 産業技術総合研究所 微細加工 芝浦メカトロニクス製CFS-4EP-LL型  ロードロック付RFマグネトロン・サイドスパッタ方式   スパッタ源:3台セット(内1台は強磁性材...
RF・DCスパッタ堆積装置(芝浦) 産業技術総合研究所 微細加工 直流または高周波励起によりArプラズマを発生させ、ターゲット材へ衝突させることにより、基板へ均質緻密な膜をスパッタします。カソードは3つ...
ECRスパッタ成膜・ミリング装置 産業技術総合研究所 微細加工 ECRイオンソースで発生させたArイオンビームで、スパッタ成膜とイオンエッチングを行うことを目的とした装置です。同一試料に対して成膜とエッチ...
スパッタリング装置 筑波大学 微細加工 CFS-4EP-LL(i-miller)/芝浦メカトロニクス社・ スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ  RF500W (DC)・ スパッタ源:3インチ&tim...
ケミカルプロセス装置群 北九州産業学術推進機構 微細加工 7.スパッタ装置【キャノンアネルバ:EB1100】Al系薄膜のスパッタリング(Ar)RF出力範囲:~800W昇温可能範囲:~300℃電極間距離:100~150mm対応試料:...
デュアルイオンビ-ムスパッタ装置 香川大学 微細加工 ハシノッテク社製デュアルイオンビ-ムスパッタ装置 10W-IBS 熱陰極型イオン源:2基(50~1000eV) 基板加熱温度:最大700゜C 【ビームガン1:エッチ...
ヘリコンスパッタリング装置 北海道大学 微細加工 アルバック社製:MPS-4000C1/HC1    試料種類:3元、Au,Ag,Cr,Ti,SiO2他    試料サイズ:最大4インチ...
イオンビームスパッタ装置 北海道大学 微細加工 アルバック社製:IBS-6000    試料種類:4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他    試料サイズ:最大3インチ...
超高真空5源ヘリコンスパッタ 北海道大学 微細加工 菅製作所:Av028    試料種類:Cu、Ta、FeNi、IrMn、CoFe    試料サイズ:1インチ x 1インチ...
スパッタ 北海道大学 微細加工 アネルバ:社製:SPF-210H    成膜材料:1元、Au、Ni、Al、Cu    DC・RF・逆RF    試料サイズ:5cmx5cm...
コンパクトスパッタ装置 北海道大学 微細加工 アルバック製:ACS-4000-C3-HS試料種類:SiO2、Au、Cr等基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)基板加熱機構有り(~550℃)...
半導体薄膜堆積装置 北海道大学 微細加工 パスカル製:パルスレーザー堆積装置    レーザー光源:248nm    基板サイズ:2インチまで(有効製膜範囲:2cm角) &n...
スパッタ成膜装置 東京工業大学 微細加工 ケーサイエンス製  電極用スパッタ成膜装置 Arガス利用 Ti, W, TiW電極の成膜可能 ロードロックチャンバ付き 成膜レート ~3nm/mi...
スパッタ成膜装置 東京工業大学 微細加工 絶縁膜用・ゲージコントローラ、CDGコントローラ装備   膜厚計装備     スパッタコントローラ装備   SiN、Ta2O3、SiO2&nb...
スパッタ成膜装置 東京工業大学 微細加工 対向ターゲット式RFスパッタリング(2元)...
多元スパッタ装置(仕様A) 京都大学 微細加工 キャノンアネルバ(株)社製 EB1100 カソード 非磁性体Φ4"PMC x 4基   基板トレイ Φ4"Siウエハ x 3枚用 Φ6"...
多元スパッタ装置(仕様B) 京都大学 微細加工 キャノンアネルバ(株)社製 EB1100 カソード 非磁性体Φ4"PMC x3基   基板トレイ Φ4"Siウエハ x 3枚用 Φ6"Siウ...
全自動スパッタ装置 物質・材料研究機構 微細加工 (アルバック社製:Jsputter)サイドスパッタ方式RF/DC共用4元カソード最大試料寸法:φ6インチ...
超高真空スパッタ装置 物質・材料研究機構 微細加工 (ビームトロン社製)TS直上スパッタ方式RF/DC共用4元カソード最大試料寸法:φ3インチ...
多元スパッタ装置 (i-miller) 物質・材料研究機構 微細加工 メーカー名:芝浦メカトロニクス型番:CFS-4EP-LL (i-miller)用途:金属・絶縁薄膜形成  装置仕様スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2...

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