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大分類成膜・膜堆積  → 大分類一覧を表示
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37件中、1件目~20件目を表示しています。

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写真 設備名称 設置機関 研究分野 仕様
プラズマCVD薄膜堆積装置(TEOS/SiO2) 産業技術総合研究所 微細加工 サムコ社製TEOS CVD装置。8インチまで対応。本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、テトラエトキシシラン(TEOS)を原料...
プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN) 産業技術総合研究所 微細加工 本装置は液体ソースを用いたプラズマ化学気相成長装置であり、TEOSからSiO2を、 SN-2(液体有機ケイ素化合物)からSi3N4を成膜することができます。R...
ケミカルプロセス装置群 北九州産業学術推進機構 微細加工 4.プラズマCVD【samco:PD-220】Si系薄膜の堆積基板加熱:~350℃RF出力:~300W対応試料:2”Φ×7    3”Φ×44”Φ×...
ケミカルプロセス装置群 北九州産業学術推進機構 微細加工 5.減圧CVD【samco:LPD-1200】ポリシリコン堆積昇温可能範囲:~1100℃対応試料:2”Φ×20    4”Φ×25...
プラズマCVD装置 北海道大学 微細加工 サムコ社製:PD-220ESN    試料種類:SiO2、SiN    試料サイズ:最大4インチ...
液体ソースプラズマCVD装置 北海道大学 微細加工 サムコ社製:PD-10C1    試料種類:SiO2他(ソースについては応相談)    キャリアガス:N2,He,Ar,H2    試料サ...
プラズマCVD 装置 東京工業大学 微細加工 シリコン酸化膜  サムコPD-240 1 反応器:  SUS304製  内径  340mm 基板加熱機構:抵抗加熱方式  MAX 400℃ ...
有機金属気相成長装置 東京工業大学 微細加工 日本酸素製 HR-3246  InP用 ウェハトレイ:石英製2インチウェハトレイ III族材料:TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 V族材料:AsH3(100%),AsH3(1%),PH3(100%),Si2H...
プラズマCVD装置 東京工業大学 微細加工 シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜  住友精密工業  Multiplex-CVD  ...
プラズマCVD 装置 東京工業大学 微細加工 シリコン酸化膜 サムコPD-100ST...
マイクロ波プラズマCVD装置 東京工業大学 微細加工 最大6 kWのマイクロ波パワーでダイヤモンド薄膜を合成できます。50 mmΦのサンプルホルダーを有しています。窒素を添加することで、現在注目され...
プラズマCVD装置 京都大学 微細加工 住友精密工業(株)社製 MPX-CVD 酸化シリコン成膜  基板 Φ6、Φ4インチウェハー プロセスガス Ar  O2  C4F8 &n...
パリレン成膜装置 京都大学 微細加工 SCS社製 LABCOTER PDS2010 蒸着室有効内容積:215mm(径)×270mm(高さ) 最大ダイマー  150g  原料ダイマー  DPXC,DPXN  対...
プラズマCVD装置 物質・材料研究機構 微細加工 (サムコ社製PD-220NL)TEOS原料SiO2成膜電源出力:30~300W最大試料寸法:φ8インチ...
パリレンコーティング装置一式 名古屋大学 微細加工 KISCO製  DACS-LAB蒸着チャンバー寸法:ID300×H350 mm...
プラズマCVD装置 名古屋大学 微細加工 サムコ製  PD-240 基板加熱;  抵抗加熱式 (~400℃) 適正ウェハ寸法;  不定形~3インチ径 供給ガス;  TEOS, ...
ラジカル注入型プラズマCVD装置 名古屋大学 微細加工 ラジカル注入によるラジカル制御プラズマCVDであり,種々のカーボン材料の薄膜堆積が可能。 プロセスガス:CH4,C2F6,CF4,H2,Ar,O2,N2...
LPCVD装置(poly-Si用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製モノシランの熱分解、650℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...
LPCVD装置(SiN用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...
LPCVD装置(SiO2用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾンの2つのモード可能、最高温度850℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...

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