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大分類成膜・膜堆積  → 大分類一覧を表示
中分類CVD(化学気相成長)、有機膜  → 中分類一覧を表示
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研究機関広島大学
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8件中、1件目~8件目を表示しています。

写真 設備名称 設置機関 研究分野 仕様
LPCVD装置(poly-Si用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製モノシランの熱分解、650℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...
LPCVD装置(SiN用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製ジクロルシランとアンモニアの反応基板温度750℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...
LPCVD装置(SiO2用) 広島大学 微細加工 東京エレクトロン社製モノシランと一酸化窒素混合モード、TEOS+オゾンの2つのモード可能、最高温度850℃ 対応wafer:2inch、cut wafer...
常圧SiO2CVD装置 広島大学 微細加工 天谷製作所社製基板温度400℃、PおよびBドープ可能 対応wafer:2inch...
プラズマCVD(PECVD)装置 広島大学 微細加工 SiO2,SiN薄膜の堆積 対応wafer:2inch、cut wafer...
ICP - CVD装置 広島大学 微細加工 アユミ工業製  【技術代行専用】   対応wafer:4inch以下 アモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜の成膜  ...
CCP - CVD装置 広島大学 微細加工 アユミ工業製  【技術代行専用】   対応wafer:4inch以下 n型アモルファスシリコン膜の成膜...
リモートPECVD装置 広島大学 微細加工 アユミ工業製  【技術代行専用】   対応wafer:4inch以下 SiO2、SiNx膜等の絶縁膜の成膜...