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大分類合成、熱処理、ドーピング  → 大分類一覧を表示
中分類熱処理、レーザーアニール  → 中分類一覧を表示
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4件中、1件目~4件目を表示しています。

写真 設備名称 設置機関 研究分野 仕様
ポストメタライゼーションアニール(PMA)炉 広島大学 微細加工 神港精機社製最高使用温度900℃  水素アニール 対応wafer:2inch、cut wafer...
汎用熱処理装置 広島大学 微細加工 光洋サーモシステム社製各種材料窒素アニール用(400~1000℃) 対応wafer:2inch、cut wafer...
連続発振レーザアニール装置 (レーザ結晶化装置) 広島大学 微細加工 (自作)   【技術代行専用】レーザ出力:0.24 ~ 10.0 W、レーザ径:1.15 mm×50μm (ラインビーム)、スキャン速度:0.1 ~ 10 cm/s...
Rapid Thermal Anneal装置(RTA) 広島大学 微細加工 サムコ製 HT-1000昇温速度最大200℃/s(N2, O2, Ar)対応wafer:2inch、cut wafer...