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ナノテクジャパンは、文部科学省「ナノテクノロジープラットフォーム」の一環として、全国の産学官の利用者に対して、
最先端研究施設及び研究支援能力を分野横断的にかつ最適な組合せで提供できる共用システムを構築し、研究課題解決への貢献を目指して活動しております。
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文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム共用設備利用案内サイトへようこそ！ 研究開発に必要な最先端の装置群を日本全国の研究機関から選べます．
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1179件中、181件目～200件目を表示しています。
[1] « 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 » [59]| 写真 | 設備名称 | 設置機関 | 研究分野 | 仕様 |
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高輝度In-plane型X線回折装置Smart-Lab(リガク) | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な特長 高輝度Ｘ線源 及び In-Planeアームを搭載した試料水平配置高精度ゴニオメータを使用したＸ線回折装置。 粉末試料測定に適... |
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超精密三次元構造解析装置SuperLab（リガク） | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な特長 微小フォーカスとCMFミラーにより最高分解能で測定可能 □ 主な仕様 高精度ゴニオメータ：ωと2θ軸は10万分の2度... |
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分光エリプソメータM-2000DI-T（J.A.Woollam） | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 測定波長：193～1690nm チャンネル数：690同時計測 回転補償子型 ... |
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極限環境下電磁物性計測装置PPMS-14LHattt（日本カンタム・デザイン） | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 14 T超伝導マグネット 温度制御 1.9K～400K 試料空間 25.4mm □主な用途 電気輸送特性評価 磁気特性評価 熱輸送特性... |
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環境制御マニュアルプローブステーション（東陽テクニカ等） | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 低温プローブ部：CRX-4（:6K～350K） 高温プローブ部：HCP-401/400（室温～400度） 半導体パラメータ測定部：4200型 誘電体測定部：FCE1... |
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CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システムXVision200TB(日立ハイテクノロジーズ) | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 FIB分解能：4nm@30kV、最大電流45nA SEM分解能：3nm@5kV、加速電圧1～30kV 最大8インチステージ Arビーム照射 W,C,絶縁膜デポ XeF,... |
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高分解能走査型分析電子顕微鏡（JSM-7800 Prime） | 東京大学 | 微細構造解析 | 本体加速電圧：～30kV 二次電子分解能：0.7nm（加速電圧 30 kV）,3.0 nm（加速電圧 100 V）倍率：×10（WD40）～500,000プローブ電流：10-12～2×... |
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高分解能走査型電子顕微鏡（JSM-7000F） | 東京大学 | 微細構造解析 | 本体加速電圧：0.5～30kV 0.5～2.9kVは10Vステップ可変 2.9～30kVは100Vステップ可変二次電子分解能：1.2nm（加速電圧30kV）,3.0nm（加速電圧1... |
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低真空走査型電子顕微鏡（JSM-6510LA） | 東京大学 | 微細構造解析 | 本体加速電圧：0.5～30kV 0.5～3.0kVは100Vステップ可変 3～30kVは1kVステップ可変二次電子分解能： 高真空モード：3.0nm（加速電圧30kV）... |
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低損傷走査型分析電子顕微鏡（JSM-7500FA） | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な特長 ジェントルビーム機能を搭載し加速電圧1kVで1.4nmの高分解能□ 主な仕様 二次電子像分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV） 倍率：&... |
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粉末X線回折装置SmartLab (3kW) （リガク） | 東京大学 | 微細構造解析 | In-Planeアームを搭載した全自動水平型多目的Ｘ線回折装置。高温測定用アタッチメントも用意している。... |
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粉末X線回折装置SmartLab (Kα1)（リガク） | 東京大学 | 微細構造解析 | ヨハンソン型Ge結晶によりCu Kα1のみに単色化可能な粉末用全自動水平型多目的Ｘ線回折装置。... |
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クロスセクションポリッシャー(CP)JEOL SM-090010,090020 | 東京大学 | 微細構造解析 | 【仕 様】イオン加速電圧：2 ～ 6 kVイオンビーム径半値幅：500 µm（加速電圧：6kV, 試料：Si）ミリングスピード：1.3 µm/... |
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精密イオンポリッシャー(PIPS)GATAN Model-691 | 東京大学 | 微細構造解析 | 【仕 様】イオン加速電圧：1 ～ 6 kVイオン入射角：最大±10°真空系：分子ポンプ（MDP）、2段ダイヤフラムポンプ（DP）使用... |
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ウルトラミクロトーム EM UC7(Leica) | 東京大学 | 微細構造解析 | 【特 徴】 静電気式ピックアップ法 視認性の高いLED照明システム ユーセントリック動作を搭載した実体顕微鏡 ... |
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イオンスライサー(IS)JEOL EM-09100IS | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な特長冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製□ 主な仕様・イオン加速電圧：1～8 kV ・傾斜角：最大6°（0.1°刻... |
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精密イオンポリッシャー（PIPS）JEOL EMD-12210 | 東京大学 | 微細構造解析 | 【特長】 高速イオンミリング：高性能小型ペニング型イオン銃によりビーム径を350μｍに絞込み、高速ミリング 角度可変イオン銃：入射角0°... |
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環境対応型超高分解能電子顕微鏡 JEM-ARM200F Cold FE(JEOL) | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 加速電圧:200kV以上 分解能：TEM格子像 0.10nmTEM粒子像 0.23nmSTEM明視野格子像 0.136nmSTEM暗視野格子像 0.10nm 倍率：TEM像&nb... |
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原子分解能元素マッピング構造解析装置 JEM-ARM200F Thermal FE(JEOL) | 東京大学 | 微細構造解析 | □ 主な仕様 分解能：TEM格子像 0.10nmTEM粒子像 0.19nmSTEM明視野格子像 0.136nmSTEM暗視野格子像 0.082nm 倍率：TEM像 50～2,000,000倍STEM... |
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表面構造評価用多機能Ｘ線回折装置 ATX-G Ultra18 type (リガク) | 東京大学 | 微細構造解析 | 4軸ゴニオメータによるin-plain測定 単色化X線によるロッキングカーブ、逆格子マップの作成 最大８インチウェーハの装着が可能 X線出力：18kW... |
