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写真 設備名称 設置機関 研究分野 仕様
真空蒸着装置1 京都大学 微細加工 (株)サンバック社製  RD-1400 チャンバ―内到達圧力:7.0×10-5Pa以下(常圧・無負荷時) 抵抗加熱方式  電極数量 3式(切り...
真空蒸着装置2 京都大学 微細加工 (株)サンバック社製  RD-1400 チャンバ―内到達圧力:7.0×10-5Pa以下(常圧・無負荷時) 抵抗加熱方式  電極数量 3式(切り...
プラズマCVD装置 京都大学 微細加工 住友精密工業(株)社製 MPX-CVD 酸化シリコン成膜  基板 Φ6、Φ4インチウェハー プロセスガス Ar  O2  C4F8 &n...
熱酸化炉 京都大学 微細加工 光洋サーモシステム(株)社製 MT-8X28-A 基板 最大Φ8インチウェハ  25枚 max 常用最高温度 1050℃  乾燥あるいは湿潤状態...
深堀りドライエッチング装置1 京都大学 微細加工 サムコ(株)社製  RIE-800iPB-KU ボッシュプロセス   基板サイズ Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ*  用途Si(* JEIDA規格におい...
深堀りドライエッチング装置2 京都大学 微細加工 サムコ(株)社製  RIE-800iPB-KU ボッシュプロセス   基板サイズ Φ4"ウエハ,Φ6"ウエハ*  用途Si(* JEIDA規格におい...
磁気中性線放電ドライエッチング装置 京都大学 微細加工 (株)アルバック社製  NLD-570 プラズマ源  磁気中性線プラズマ(NLD)  基板サイズ Φ6"ウエハ(JEIDA,SEMI) 供給ガス  ...
ドライエッチング装置 京都大学 微細加工 サムコ(株)社製 RIE-10NR-KF 基板サイズ MAX Φ8"ウエハ x 1枚 供給ガス  CF4、CHF3、O2 用途 SiO2,Si3N4,アッシング  ...
電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置 京都大学 微細加工 (株)エリオニクス社製  EIS-1200 試料サイズ Φ6インチ,Φ2.5インチ,□75mm×7mm イオン銃  ECR型イオン銃  イオン種 &...
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム 京都大学 微細加工 住友精密工業(株)社製  MLT-SLE-Ox 基板 最大Φ6インチ×3枚(max) 用途:フッ化水素(HF)ガスによるシリコン酸化膜ドライエッチ...
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム 京都大学 微細加工 XACTIX社製 Xetch X3B 基板 最大Φ6インチ 用途:フッ化キセノン(XeF2)によるシリコンドライエッチング SiO2、Si3N4 Al等のマスク、下...
赤外フェムト秒レーザ加工装置 京都大学 微細加工 AVESTA PROJECT社製短パルスレーザーの集光による精密加工50 Hz、50 mWの出力で波長1.24μmのフェムト秒レーザーパルスを発生用途  光...
レーザアニール装置 京都大学 微細加工 AOV(株)社製   LAEX-1000KrFエキシマレーザーのマスクのパターン縮小投影による表面のアニーリングマスク上での均一強度分布のビームサ...
紫外線ナノインプリントボンドアライメント装置 京都大学 微細加工 ズース・マイロテック社製 MA/BA Gen3 SPEC-KU 基板サイズ 1" to 200mm  最大厚み5mm アライメント精度 ±0.25μm(表面...
基板接合装置 京都大学 微細加工 ズース・マイロテック社製 SB8e SPEC-KU 基板サイズ  150mm 基板加熱可能温度  500℃ max 接合方式  陽極接合  共晶接...
ナノインプリントシステム 京都大学 微細加工 Obducat社製  Eitre3基板サイズ Φ3(最大)インプリント方式 STU/熱/UV、全面一括 最高到達温度(熱インプリント時) 250℃...
赤外透過評価検査/非接触厚み測定機 京都大学 微細加工 (株)モリテックス社製  IRise-T 基板 最大Φ8インチウェハ 画像分解能 0.26μm/画素  厚み測定    測定分解能 &nb...
レーザダイシング装置 京都大学 微細加工 (株)東京精密社製  Mahoh Dicer ML200ドライプロセスによるダイシングマシンウエハサイズ :円形ウエーハ:Φ2”~Φ6”高...
ダイシングソー 京都大学 微細加工 (株)ディスコ社製  DAD322ワークサイズ MAX Φ6"ウエハ 加工対象  Si  セラミックス  PZT  LiTaO3  ...
真空マウンター 京都大学 微細加工 日本電気(株)社製 VTL-201ウエハーに粘着テープを貼り付ける装置基板サイズ Wafer Φ6"以下 制御方式 シーケンサコントロール&nbs...

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