低温プローバー [GRAIL-408-32-B]
本設備の共用は終了しています。
後継の設備や同様の設備は、「共用設備検索」から検索するか「技術サポート・機器利用のお問い合わせ」よりお問い合わせください。
最終更新日:2024年12月27日
設備ID | NM-658 |
---|---|
分類 | デバイス特性 > 電気特性評価 |
設備名称 | 低温プローバー [GRAIL-408-32-B] (Low Temp. Prober [GRAIL-408-32-B]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 513号室 |
メーカー名 | ナガセテクノエンジニアリング株式会社 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd.) |
型番 | GRAIL-408-32-B |
キーワード | 電気測定、デバイス特性、半導体、温度特性、電気特性評価/ Electrical characterization |
仕様・特徴 | ・温度範囲:8~300 K ・サンプルサイズ:最大4 inch Φ ・マニピュレーター:4本 ・半導体パラメータアナライザ:4系統 ・高速パルスI-V測定 |
設備状況 | 共用を終了した設備です |
本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=NM-658 |