低温プローバー [GRAIL-408-32-B]
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最終更新日：2024年12月27日
| 設備ID | NM-658 |
|---|---|
| 分類 | デバイス特性 > 電気特性評価 |
| 設備名称 | 低温プローバー [GRAIL-408-32-B] (Low Temp. Prober [GRAIL-408-32-B]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 513号室 |
| メーカー名 | ナガセテクノエンジニアリング株式会社 (Nagase Techno-Engineering Co., Ltd.) |
| 型番 | GRAIL-408-32-B |
| キーワード | 電気測定、デバイス特性、半導体、温度特性、電気特性評価/ Electrical characterization |
| 仕様・特徴 | ・温度範囲：8～300 K ・サンプルサイズ：最大4 inch Φ ・マニピュレーター：4本 ・半導体パラメータアナライザ：4系統 ・高速パルスI-V測定 |
| 設備状況 | 共用を終了した設備です |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=NM-658 |
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