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- 24AT0059
- ハイブリッドボンディングサンプルの断面観察
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0060
- 印刷物の表面組成分析
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0061
- ダイヤモンド半導体デバイスプロセスの検討
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0062
- ダイヤモンド半導体デバイスの開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0064
- GaN指向性マイクロLEDの研究
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0065
- 電圧制御型MRAMデバイスの要素技術開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0066
- GaN MOSFETプロセスの開発
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0070
- ミニマル反応性スパッタ装置による強誘電性HfNx膜の製作
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0074
- 次世代デバイス試作
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所
- 24AT0078
- Sb2Te3層状膜によるMoS2上低抵抗コンタクトの実現
- 2025.6.10
- 産業技術総合研究所